碳化硅衬底（涨价核心环节，涨幅最大）北京天科合达半导体股份有限公司

碳化硅衬底（涨价核心环节，涨幅最大）

1）6英寸导电型（车规MOS）

2025年底部：2300元/片

2026年6月现货：12000–12300元/片，年内底部涨幅超400%

普通工业6英寸SBD：谷底1500–1800元，现价4900–5000元，涨幅170%

2）8英寸导电型（AI+800V电车刚需）

海外现货较2024年初涨幅160%+，高端低缺陷单片突破13000美元

国内8英寸止跌反弹，现货溢价15%以上，订单排至2027年

3）半绝缘衬底（射频/雷达）：同比上涨40%–60%，持续紧缺

北京天科合达半导体股份有限公司（天科合达）
国内碳化硅（SiC）衬底龙头，全球第二，导电型市占率国内第一。
成立：2006年9月，中科院物理所团队创业。
定位：国家级高新、专精特新 “小巨人”，中国首家SiC衬底全产业化企业。