从通用算力到极致推理,LPU引发的底层硬件革新
英伟达 (NV)即将于 3 月 GTC 大会发布整合 Groq 技术的原生 LPU(推理处理器) 芯片“Feynman”。AI 投资正式进入下半场。LPU 的精髓在于:极致低延迟、舍弃 HBM 转向片上 SRAM、背面供电。
这对硬件的要求从“逻辑层”下沉到了“物理层”——材料要更硬、孔要打得更精、层数要叠得更厚。
今天的A股市场已经提前反应出来了,这里做一下系统整理。
一、 核心材料:M9 级别与 Q 布(石英布)的“物理刚需”
LPU 架构下,数据的高速传输要求信号损耗接近于零。M9 等级材料 + Q 布 已经从“选配”变成了“必选”。
逻辑: 传统的玻璃纤维已触及物理极限,石英纤维布(Q 布)是 Df/Dk 要求下的唯一解。
【核心标的】
F利华:石英纤维全球领军,LPU 产业链最纯粹的底层耗材。
宏H科技:极细/特种电子布先行者,高端国产替代核心。
东C科技:M9 级别特种树脂与薄膜的核心供应商。
二、 加工工具:金刚石钻针(耗材)与钻孔设备——确定性最高的卖水者
这是 LPU 带来的最强“边际增量”。50 层以上的 PCB 且基材极硬,普通钻针寿命缩短 90%,金刚石(PCD)钻针 迎来从 0 到 1 的爆发。
逻辑: 钻针是“易耗品”,层数越多孔越多,损耗越快。金刚石钻针效率是传统的百倍。
【核心标的】
D泰高科:全球钻针霸主,受益于行业量价齐升,逻辑最稳。
W尔德 / S方达:超硬刀具专家,金刚石 PCD 钻针的核心受益标的。
D族数控:国内 PCB 钻孔设备重器,适配 50 层板高精背钻。
三、 物理载体:50层+ PCB 与背面供电(BPDN)
LPU 芯片 Tray 设计复杂度极高,主板层数直接拉升至 50 层 以上,单柜 PCB 价值量呈倍数级增长。
逻辑: 导入背面供电(BPDN)及嵌埋技术,解决大电流瞬态负载。
【核心标的】
胜H科技:明确指向的 LPU 主供,高端产能释放节点已到。
沪D股份:算力背板全球龙头,技术壁垒最深。
景W电子:高端算力板第二梯队的黑马。
四、 存储与封装:SRAM 架构与 3DIC 垂直堆叠
LPU 舍弃 HBM,转而堆叠数千兆片上 SRAM;为了速度,3D 垂直封装成为终极形态。
逻辑: 存算一体化。在国产制程瓶颈下,3D 封装是提升性能的“弯道超车”点。
【核心标的】
北J君正:SRAM 积淀深厚,LPU 架构核心受益者。
拓J科技:混合键合与薄膜沉积设备,先进封装平台化龙头。
精C电子:布局 3D 量测与先进封装技术。
LPU 核心策略雷达(投资价值分级)
第一梯队:确定性巅峰(物理强刚需)
方向:高阶材料(Q布/M9)、金刚石钻针
核心标的:F利华、H和科技、D泰高科、新R股份
确定性:⭐⭐⭐⭐⭐
爆发力:⭐⭐⭐⭐
壁垒感:⭐⭐⭐⭐⭐
第二梯队:价值量跃迁(份额与毛利双增)
方向:50层+ PCB、高端钻孔设备
核心标的:沪D股份、胜H科技、D族数控
确定性:⭐⭐⭐⭐⭐
爆发力:⭐⭐⭐
壁垒感:⭐⭐⭐⭐
第三梯队:技术奇点(国产替代弹性)
方向:先进封装设备、SRAM 存储
核心标的:拓J科技、精C电子、北J君正
确定性:⭐⭐⭐
爆发力:⭐⭐⭐⭐⭐
壁垒感:⭐⭐⭐⭐
LPU 行情目前处于“技术路线定型”向“订单放量”过渡的窗口期。确定性最高的是钻针(不打孔没法出货)和 Q 布(不换料没法跑数据),爆发力最强的是具备 3D 封装能力的设备商。
$菲利华(sz300395)$