易成新能 战略重组并入了中宜芯创。
由中国电子材料行业协会发布的《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准将于11月1日正式实施。该标准由中宜创芯联合国内20余家科研院所及产业链企业共同制定,是我国
第三代半导体材料领域首个针对纯度6N(99.9999%)级以上碳化硅粉体的技术规范,对推动半导体产业自主可控具有里程碑意义。
“该标准将产生三重积极影响,一是通过建立统一技术规范提升行业整体技术水平,二是降低下游企业验证成本推动国产替代加速,三是强化龙头企业技术壁垒优化产业竞争格局。”10月21日,中宜
创芯技术 总监杨正宏说。
据了解,这项填补国内空白的技术规范通过统一纯度、杂质限值、粒度等关键指标,显著提升国产粉体质量与一致性。标准实施将有效降低下游晶体生长环节的技术风险与验证成本,加速国产高纯碳化硅粉体的应用替代进程,为我国第三代半导体产业链的自主可控与高质量发展提供重要支撑。
团标评审专家组认为,随着
新能源汽车、光伏逆变器等领域对碳化硅器件需求的爆发式增长,掌握核心粉体技术的企业将迎来重大发展机遇。
作为标准主要起草单位,中宜创芯在碳化硅粉体制备领域有着重大技术突破。该公司采用改进自蔓延高温合成法(SHS),成功将碳化硅粉体纯度提升至8N8级(99.9999998%),相当于1吨材料中杂质不超过0.2克,远超标准要求的6N级。其粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点,尤其适合8英寸甚至12英寸碳化硅厚单晶晶锭的生长。
“团体标准实施后,下游企业无疑将更倾向于采用符合统一指标的国产粉体。我们的高纯度产品已在国内30多家企业和研究机构开展验证,市场份额有望快速提升。”杨正宏说。
除了具备高标准的粉体制备能力,中宜创芯的优势还反映在其对全产业链的深度整合与优化。通过与中国平煤神马集团下属单位的合作,该公司实现了从基础原料到高端产品的全链条贯通,大幅降低了生产成本,同时确保了供应链的稳定性。
此外,中宜创芯持续加大研发投入,已经启动开发光学级碳化硅,重点应用在碳化硅热沉材料等相关产品,以实现与AI芯片功率密度相匹配的散热性能。这一前瞻性布局将进一步巩固该公司在国际竞争中的主动权,并逐步缩小与全球顶尖企业的技术差距,助力中国第三代半导体材料实现全面突破。
$易成新能(sz300080)$