存储芯片

2025年11月存储芯片正处于全面暴涨的态势，不同类型产品涨幅惊人，且业内预测涨势和缺货状态还将持续很久，具体情况如下 ：

1. HBM：SK海力士的HBM4单价达560美元，较上一代HBM3E的370美元涨幅接近50%，且该厂商2026年HBM产能已提前售罄。
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2. DRAM：三星、SK海力士等头部厂商宣布第四季度DRAM合同价最高上调30%，其中16GB DDR4内存条价格从约200元飙升至350 - 520元，16GB DDR5内存条单价突破600元；2025年第三季度DRAM价格较去年同期更是暴涨171.8%。
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3. NAND闪存：11月9日闪迪 大幅上调NAND闪存合约价格，涨幅高达50%，这已是其今年第三次涨价；三星、SK海力士等厂商也将NAND闪存合同价上调5%-10%。

此外，创见、宜鼎国际等模组厂已暂停出货并重新评估报价，深圳华强 北存储产品更是出现“一天一价”的情况 。业内预判未来一年内存储芯片整体涨幅可能在50%-80%之间，缺货问题或要到2027年下半年才可能出现转机 。