持续关注拓荆科技：海力士26年将采用混合键合，行业有望迎来加速

【国投证券电子】持续关注拓荆科技 ：海力士26年将采用混合键合，行业有望迎来加速 $拓荆科技(sh688072)$

1.龙头公司26年将采用混合键合，行业有望迎来加速：7月17日，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。到目前为止，HBM 在 DRAM 模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而，通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，通过消除充当桥梁的凸块来显着减小芯片的厚度。混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距。在HBM行业龙头公司的推动下，混合键合有望迎来加速发展。

2.拓荆混合键合设备进展顺利：2023年，公司首台晶圆对晶圆键合产品 Dione 300 顺利通过客户验证，并获得复购订单，购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的混合键合设备，该设备的性能和产能指标均已达到国际领先水平。另外，公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品 Propus 发货至客户端验证，并在当年即通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的同类型产品。公司在混合键合设备上优势明显，未来有望受益混合键合工艺在HBM上的应用。

3.风险提示：产品研发进度不及预期；

4.联系人：马良、郭旺