半导体设备观

【国盛电子】半导体设备观：TechInsights发布3D NAND 最新产品比较并更新技术路线图，NAND技术竞争持续升温，长江存储产品力领先，持续推荐【半导体设备】产业链

#TechInsights对比TOP闪存厂商产品：近期，TechInsights对外发布三星、海力士、美光、长江存储 2XXL 3D NAND产品的垂直单元效率（VCE）比较，VCE对于NAND单元的工艺、设计、集成和器件操作非常重要，是最核心的技术指标之一。根据分析，三星236L 2代 COP V-NAND VCE达到 94.8%；长江存储 Xtacking 3 VCE高达91.7%【排名第三】，高于美光232L的91.0%和铠侠162L的88%（2XXL尚未量产）。

#TechInsights更新3DNAND技术路线图: 24Q2，闪存主要参与方在3D NAND技术方面取得重大进展技术竞争持续升温：
＞三星（产能70万+）发布286L的 V9产品，即将推出的 V10 代际将采用混合键合技术；
＞铠侠和西部数据 （产能70万+）最近发展到162L BiCS 6，计划跳过 BiCS 7，转向218L的8代产品；
＞海力士（产能30万+）目前主要量产176L、232L，预计25年推出321L V9产品；
＞美光（产能20万+）在128L 产品中转向 CTF CuA 集成，目前最新推出176L和232L版本，他在正在开发300L的第七代产品，可能跃升至 4xxL；
＞长江存储（产能＜15万）：使用Xtacking技术跳过176L，发布并量产232L产品，并计划推出【超过300L】的Gen5，同时公司正在开发multi-Xtacking 技术。

目前来看，3D NAND代际竞争日趋白热化，技术军备竞赛愈演愈烈，高阶NAND架构+混合键合工艺+钼等材料陆续规模化引入，大陆企业长江存储在【产品实力与先进工艺】中具备全球竞争力，但产能显著低于海外厂商，显著影响公司盈利能力，也无法满足国产存储客户需求。

我们认为未来公司的扩产确定性强、幅度大，产能释放的增速有望超越海外友商，在此我们重点推荐在闪存扩产中【价值量占比高、业务敞口大】的设备企业。

【设备链】重点推荐：
北方华创 、中微公司 、拓荆科技 、芯源微 、华海清科

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