中泰电子|存储周期上行+AI创新+国产化,三重逻辑共振!
10月存储合约价首次全线上涨——
10月合约价,
DRAM中DDR2涨幅2-3%,DDR3涨幅3-5%,DDR4涨幅6-15%,DDR5涨幅11-12%。NAND中MLC涨幅1-2%,SLC全线止跌。
此外现货价NAND wafer中512Gb TLC自9月中旬已上涨+42%,本周较上周+13%。
存力为AI创新算力基石——
无论是B端大模型训练算力提升,还是C端手机、笔电等AI+升级,均需存力升级支持。
国产化持续催化——
半导体国产化除逻辑产品外,存储是兵家必争之地,涉及
信息安全 ,国产化长期趋势不可逆。
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