万亿大市场！！碳化硅概念股汇总 第三代半导体芯片材料

第三代半导体材料碳化硅（SiC）的时代或将迎来万亿大市场！

一：华为投资碳化硅龙头企业：“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍。

据国家企业信用信息公示系统，日前华为旗下的投资公司-哈勃科技投资有限公司投资参股了山东天岳先进 材料科技有限公司，持股比例为10%。山东天岳科技 是专业从事碳化硅和蓝宝石单晶生长和 衬底加工的高新技术企业。据山东天岳官方消息，本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后，经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序，生产SiC MOSFET晶体管，设计年生产规模为400万只/年。

据悉，山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业：

由于特斯拉 的引导效应，碳化硅作为功率器件在地球上的普及可能被提速了一倍。这不仅对电车产业，也对其它行业的节能产生了巨大而积极的推动作用。特斯拉为了追求行驶里程仅5%的提升，不惜贵几倍的代价在业界率先全面采用碳化硅（SiC）替代IGBT。

值得注意的是，今年里，一些半导体公司股价表现出色，如今年5月，概念股康强电子 从8元附近一口气涨至20元左右，韦尔股份 从年初的27元附近涨至目前的160元。

碳化硅是最接近大规模商业化的第三代半导体材料

自半导体诞生以来，半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

第二代半导体材料主要指化合物半导体材料（如砷化镓）、三元化合物半导体（如GaAsAl）、玻璃半导体（如非晶硅）等，主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，也是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
$三安光电(sh600703)$