后800G时代优选—“光学硅”薄膜铌酸锂

国盛通信后800G时代 优选—“光学硅”薄膜铌酸锂

首先网络侧的升级迭代速率有望显著加速。原因有两点：
1.算力芯片升级加速。AI需求随应用推进随时迎来爆发奇点。同时GPU厂商之间的竞争进一步促进算力芯片的升级迭代军备竞赛。
2.算力集群运行，对通信传输要求甚于算力增长。未来几年800G向1.6T/3.2T升级进度有望明显加快。

薄膜铌酸锂TFLN—"光学硅":铌酸锂是可靠材料中电光系数最优选（考虑居里 点）。薄膜工艺拉近电极距离，降低电压提升带宽电压比。TFLN兼具大带宽/低损耗/低驱动电压等诸多光电最需要的优点。

投资建议：薄膜铌酸锂调制器：光库科技 等；TFLN薄膜铌酸锂方案光模块厂商：中际旭创 、新易盛 、联特科技 、德科立 等。 $德科立(sh688205)$

风险提示：AI发展不及预期，算力需求不及预期，相关技术研发进度风险。