中国光刻机的一些关键突破。

随着华为mate60 pro的发布，欧美加大制裁的声浪又开始喧嚣，这些噪音，从5G哥的角度看来，只会加速国内半导体技术的突飞猛进。今天5G哥就与大家聊聊中国光刻机的一些关键突破。

中国的技术底蕴日益显现，特别是在核心技术领域，中国已经取得了一些重要突破。值得关注的是，这些突破是建立在国内研究和创新的基础上的。早在2015年，中国的长春光机所就成功研发出了EUV（极紫外光刻）光刻机的高精度弧形反射镜系统。这个系统的多层层镀膜面形误差小于0.1纳米，达到了EUV级光刻机的标准。这个成就在国际上已经堪称顶尖水平。然而，这套系统中存在一个小问题，即并非所有零部件都是国产的，其中的镀膜装置需要从海外购买。这一情况导致了系统的关键部分依赖进口，容易受到外部制裁的影响。为了解决这一难题，中科院控股企业北京中科 科美在2021年7月成功研发出了镀膜精度控制在0.1纳米以内的直线式劳埃透镜镀膜装置以及纳米聚焦镜镀膜装置。这些零部件满足了长春光机所对于高精度弧形反射镜系统的技术要求。随后，这些新的镀膜装置被供应给了长春光机所，使其能够立刻制造出EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统。这个成功案例表明，中国在EUV光刻机领域已经具备了自主研发和生产的能力，增强了对EUV光刻机的信心。EUV光刻机技术本质上是一个工程问题，理论上并不存在困难。在中国，人才、需求、技术基础和产业基础都具备，唯一需要的是时间和投入。这正是中国的优势所在。目前，国内有三条主要的EUV光刻机研发路线，它们采取饱和式研发，不计成本：

正统路线：这是ASML的EUV光刻机路线，由华为、上海光机所和宇量昇等国内公司合作。他们采用了500瓦LPP（液体靶点光源）光源和复杂的镜头组。这条路线的进展速度最快，但技术复杂度也最高，特别是在超高功率和超高重复频率二氧化碳激光器方面的技术难度非常大。

改进型路线：由广东智能机器研究院和华中科技大学合作，尝试采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式，绕开了超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。虽然成功与否尚不确定。

颠覆式路线：清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，可以直接将光刻机光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。如果这条技术路线成功，将极大简化光刻机光路，降低成本，使EUV光刻机变得更加经济实惠。这条路线的成功有望成为中国光刻机技术赶超ASML的关键。

从2020年10月国内启动加大投入加速研发以来，光刻机研发取得了令人瞩目的进展。第一条技术路线的EUV光刻机预计将比最初预期的时间更快投入量产。第三条技术路线被认为是未来第2代和第3代EUV光刻机的优势路线，为中国制造3纳米芯片奠定了基础。中国在EUV光刻机技术领域的持续投入和创新正在逐渐实现突破，有望在未来几年内成为全球领先的EUV光刻机制造国。这一成就将有望为中国半导体产业的发展和全球芯片市场的供应带来显著影响。欧美等国也将面临来自中国产业链的竞争挑战，中国有望在半导体领域崭露头角，继续推动技术进步和创新。聪明的企业，例如ASML，前面传言连14nm的光刻机都要不卖给中国了，最近，他们赶紧辟谣，称合同将如约执行。对嘛，能赚钱赶紧先赚了，现在我们对中低端半导体的制造仍然需求大量光刻机，你们愿意卖我们买没问题。要等中国突破和量产，就不需要了！你们自己留着吧。