PMMA已用于目前国内最先进紫外光刻用Arf
光刻胶树脂基材 并且目前主流认为可以替代紫外光刻机的有两种装置 皆使用光学级PMMA作为光刻胶/光刻掩膜(
双象股份 目前光学级PMMA产能8万吨 已规划产能30万吨)今年4月底已开工
精度上排第二的为极紫外光(目前主流光刻技术)第一的是电子束光刻(但目前光刻速度上要比紫外光光刻慢10倍)而纳米压印机一定程度上能赶上紫外光刻的精度
1:首先目前国内最先进的紫外光刻机用光刻胶为
南大光电 及徐州博康(华为入股)的Arf光刻胶 用于130~14nm芯片制造工艺 而其使用的是PMMA作为树脂基材
2:电子束光刻机 (华为哈勃投资的徐州博康有用于电子束光刻的光刻胶)
使用光学级PMMA作为性能最佳的光刻胶
3:纳米压印机(华为哈勃投资的国内头部厂商天仁微纳目前产品涵盖整机设备、模具、压印材料,研发了多款高精度紫外纳米压印设备,已经实现最大150/300mm基底面积上高精度(优于10nm )、高深宽比(优于10比1)纳米结构复制量产。)
使用光学级PMMA作为光刻掩膜
$双象股份(sz002395)$