东芯股份：SLC NAND龙头，DRAM与NOR进展顺利，存储纯正标的

德邦电子东芯股份 ：SLC NAND龙头，DRAM与NOR进展顺利，存储纯正标的

SLC NAND：国产龙头具强α+β属性，制程迭代至1Xnm
公司在SLC NAND产品布局完备，量产产品以中芯国际 38/24nm；力积电28nm 制程为主，容量覆盖512Mb至32Gb。目前，公司部分产品通过车规认证，且1Xnm产品已完成首轮流片与功能性验证，公司在该市场具备强α属性。同时，国际龙头退出SLC市场，价格周期筑底+国产替代的β属性亦将助力成长。

DRAM与NOR：DRAM与NOR进展顺利，补全业务布局
公司DRAM产品包括DDR3(L)/LPDDR1/LPDDR2，在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已送样；同时公司512Mb/1Gb大容量NOR Flash产品送样，且48nm产品通过车规认证。更高制程与更高容量的产品持续开发，进一步补全产品业务布局。

投资建议：周期拐点+错位竞争助力公司成长
我们认为目前存储行业库存逐渐出清，供给端改善明显，23Q3望迎来拐点。公司业务覆盖NAND、DRAM、NOR，有望深度受益。同时，公司聚焦利基产品（SLC、LPDDR2、DDR3等），有效与国际龙头错位竞争。周期拐点在即，持续推荐！

风险提示：需求、技术迭代和贸易摩擦风险。
德邦电子：陈海进/徐巡/谢文嘉
$东芯股份(sh688110)$