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科学新突破将增加金属锗在半导体方面的应用

英国金属网资讯：美国普度大学科学家研发出先进的锗电路，这是世界首次在半导体中，使用金属锗取代金属硅。

贝尔实验室在1947年成功研发世界第一个晶体管，当时使用的高纯锗便由普度大学提供。但是在19世界70年代，金属硅凭借其低成本，性能稳定等特性在半导体行业中占据着主导地位，并且95%的半导体都是由金属硅制成。

然而，受限于自身物理性能的局限性，使用金属硅的半导体在体积上不能满足越来越小的趋势，科学家正在极力寻找其他的可替代品，而金属锗可能再次在半导体中占据主导地位。

普度大学科学家称，与金属硅相比，金属锗具有较高的电子和电子黑洞迁徙性能，所以使研发高速电路成为可能。于此同时，科学家也研发了不同的方法来抑制金属锗的部分局限性，特别是在扩展不同类型的半导体中金属锗的应用。例如，他们发现，通过改变具有某种纯度的金属锗的物理性能和化学特性，可以使其更广泛的在半导体中得到应用。

然而，金属锗价格昂贵，属于稀缺金属。中国是金属锗的主产国，每年的金属锗全球产量在150吨左右。中国每年都会对金属锗进行收储。金属锗主要应用在光纤化学和夜视设备方面，在日本市场中也作为生产塑料瓶的催化剂。根据具体实际需要的性能特色，金属锗可能替代金属硅成为半导体的主要材料