目标锁定预高送转

高成长 高送转 半导体行业领军企业 扬杰科技 300373


产品主要应用于消费类电子、汽车电子、智能电网 、光伏、LED 、通讯等领域。凭借先进的技术和高品质产品，公司积累了大量优质客户，包括人和光伏、台达电源、云意电气、美的制冷设备等直接客户，以及上海荣威、长安福特、美的、海信、飞利浦、国家电网、南方电网等多行业的间接终端客户。 先后为中国首次载人交会对接任务天宫一号、神舟九号和长征二号F研制配套做出贡献。预计未来有望以扬杰科技为平台、以国宇电子为纽带展开一系列资本运作。碳化硅 半导体 时代来临。随着电子产品的迅速发展，常规的硅半导体、砷化镓 等器件越来越无法满足高温 、热导率、抗辐射 性等需求。以碳化硅（SiC）、氮化镓为代表的宽带隙半导体材料 由于具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特性，使其在光电器件、高频大功率器件等方面倍受青睐，被誉为前景广阔的第三代半导体 材料。尤其碳化硅器件可以再200摄氏度的高温环境下工作。与IGBT、硅器件相比，碳化硅器件具有更高的电流密度、更低的功率损耗，碳化硅器件能够提高电源转化效率。未来有望在功率器件领域实现对硅的迅速替代，碳化硅半导体时代已然来临。 碳化硅未被行业广泛应用的原因主要在于单晶制备难度大、成本高。单晶生长技术和膜生长技术的不断突破和发展，目前美国科锐（Cree）已经能够制备出6.0英寸的晶片，预计2016年将上升致8.0英寸。国内目前最先进的工艺能够达到4.0英寸。碳化硅器件新增应用领域将主要集中在LED、新能源汽车、轨道交通 、智能电网等行业。研究机构IHS IMS Research 预测，SiC和GaN半导体市场未来10年平均增速将达到18%；Yole Developpement对SiC器件市场更为乐观，预测将保持38%的年增长率。随着国际电子产业继续向国内转移，我国半导体技术工艺逐步提升，行业面临较大的成长空间。但是我国分立器件 集中度偏低、企业规模普遍较小，未来随着资本市场的不断成熟，行业内横向并购将会迎来一个高潮。

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