风口情报：根据《科创板日报》28日报道，SK海力士计划明年发布2.5D fan-out集成
存储芯片封装方案，实现两个芯片之间的端到端连接。这种封装方案是将两个
DRAM 芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片。这种方案的优势是由于芯片下方没有添加基板，可以让成品微电路更薄。
风口解读：算力时代对堆叠封装需求提升，
台积电、
英特尔、三星、SK海力士等以及中国大陆的三大封测厂均布局2.5D/3D先进封装平台，以满足AI加速器和其他HPC芯片等高端市场快速增长的需求。有望带动先进封装设备、封装基板、封装材料需求大幅增长。（文末附相关上市公司及ETF梳理）
龙头纷纷布局2.5D/3D先进封装
资料来源：Yole、
长电科技、
华天科技、
通富微电官网、开源研究所
先进封装正成为为后摩尔时代提升芯片整体性能的主要路径。长期以来，芯片封装技术的进步速度慢于晶圆制造技术，这导致芯片数据传输速率的提升低于芯片算力的提升，传输带宽已经成为限制芯片性能的瓶颈之一。因此各种2.5D、3D先进封装技术将成为AI等高性能计算场景中算力提升的关键。先进封装技术能在不单纯依靠芯片制程工艺突破的情况下，通过晶圆级封装和系统级封装提高产品集成度实现功能多样化，满足终端需求并降低成本，成为后摩尔时代提升芯片整体性能的主要路径。
AI服务器需求加大驱动先进封装产能需求，国内厂商加码先进封装布局。根据TrendForce数据，
微软、Google、
亚马逊或中国企业
百度等CSP(云端服务供应商)陆续采购高端AI服务器，大量投入训练及强化其AI模型，将推升AI芯片及高带宽内存芯片(HBM)的需求，并驱动先进封装产能2024年将成长30～40%。国内封测龙头巩固自身优势，加码先进封装技术布局，为
人工智能带来新一轮应用需求增长做好准备。
先进封装设备国产化率整体低于15%，国产替代空间广阔。我国先进封装设备国产化率整体低于15%，后道测试机、分选机是国产替代进展最快的环节，国产化率超过10%；贴片机、划片机等后道设备国产化率仅约3%；TSV深硅刻蚀、TSV 电镀设备、薄膜沉积等制程设备几乎都进口自海外，国内以
北方华创、
中微公司、
拓荆科技、
盛美上海等为代表的公司突破海外垄断，国产化率有望逐步提升。
我国先进封装设备国产化率整体低于15%
资料来源：MIR、
芯碁微装招股说明书、《TSV 关键工艺设备特点及国产化展望》褚晓虹等 、开源研究所
先进封装需求高增、产能紧缺，国内以长电科技、通富微电、华天科技为代表的封测厂也在加大2.5D/3D等先进封装的布局，在供应链自主可控趋势下，国产设备厂商迎来发展良机。
相关上市公司梳理
芯碁微装：WLP系列直写光刻设备用于12inch/8inch集成电路先进封装领域，包括FlipChip、FanInWLP、Fan-OutWLP和2.5D/3D等先进封装形式。在RDL、Bumping和TSV等制程工艺中优势明显。
拓荆科技：公司研制了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。公司成功研制了首台晶圆对晶圆键合产品Dione 300，并出货至客户端进行验证，取得了突破性进展。
芯源微：在后道先进封装领域，公司作为行业龙头持续提升机台各项技术指标，全新的BHP盘体平衡压技术可应用于Chiplet等新兴先进封装领域，在更高工艺等级下实现了产品良率的提升。公司已成功研发临时键合机、解键合机产品，目前临时键合机正在进行客户端验证。
华海诚科：公司的颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证，现处于送样阶段。相比于LMC(液态塑封料）GMC(颗粒状塑封料)有较大的成本优势，在先进封装领域有部分替代LMC的趋势。
联瑞新材：公司为国内无机填料和颗粒载体行业龙头。公司持续聚焦高端芯片（AI、
5G、HPC 等）封装、异构集成先进封装（Chiplet、HBM等）、新一代高频高速覆铜板（M7、M8等）等下游应用领域的先进技术，并不断推出多种规格低 CUT点Low α 微米/亚微米球形硅微粉、球形氧化铝粉，高频高速覆铜板用低损耗/超低损耗球形硅微粉等功能性粉体材料。
雅克科技：根据公司公告，雅克科技通过收购UP Chemical，成功跻身高端前驱体材料市场，深度绑定全球领先的储存芯片制造商海力士、三星电子。公司产品应用于AI服务器HBM3中堆叠的8或12个DRAM 裸片。
壹石通：公司为封装用球铝核心供应商。在芯片封装材料领域，公司主要产品包括 Low α 球形二氧化硅、Low α 球形氧化铝，可作为 EMC（环氧塑封料）和 GMC（颗粒状环氧塑封料）的功能填充材料。
长电科技：公司XDFOI平台以2.5D无TSV为基本技术平台，并于2023年1月宣布，XDFOIChiplet高密度度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，基于利用有机重布线堆叠中介层可实现2D/2.5D/3D集成，并已实现国际客户4nm多芯片系统集成封装产品出货。
通富微电：公司与AMD合作紧密，利用次微米级硅中介层以TSV将多芯片整合于单一封装，将持续5nm、4nm、3nm新品研发，计划2023年积极开展东南亚设厂布局计划，全力支持国际大客户高端进阶。
华天科技：全资子公司华天江苏拟投资28.58亿元，进行“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目的建设。项目建成投产后形成Bumping 84万片、WLCSP 48万片、超高密度扇出UHDFO 2.6万片的晶圆级集成电路年封测能力。
甬矽电子：公司已经掌握了系统级封装电磁屏蔽（EMI Shielding）技术、芯片表面金属凸点（Bumping）技术，并积极开发Fan-in/Fan-out、2.5D/3D等晶圆级封装技术、高密度系统级封装技术、大尺寸FC-BGA封装技术等。
同兴达：公司旗下昆山同兴达芯片封测项目已处于小规模量产期，同时也在积极开展相关先进封测技术的研究及储备。目前昆山同兴达与日月新半导体（昆山）合作的封测项目正在推进中，台积电CoWoS封测产能不足的部分订单已外溢日月光。
兴森科技：应用于2.5D/3D封装工艺的封装基板主要为FCBGA基板，公司珠海FCBGA封装基板项目于2022年第四季度建成产线，并于2022年12月成功试产。
华正新材：公司2022年公告，拟与深圳先进电子材料国际创新研究院(“电子材料院”)共同出资设立合资公司，开展CBF积层绝缘膜(可应用于先进封装领域诸如FC-BGA高密度封装基板、芯片再布线介质层、芯片塑封、芯片粘结、芯片凸点底部填充等重要应用场景的关键封装材料)项目相关产品的研发和销售。
赛微电子：拥有目前业界领先的TSV绝缘层工艺和制造平台，已研发出包括深反应离子刻蚀等在内的100余项MEMS核心国际专利，相关专利技术可以推广移植至2.5D和3D晶圆级先进集成封装平台，可以为实现功能化晶圆级封装和三维集成提供保障。
相关ETF梳理
华夏国证半导体芯片ETF 159995
国泰CES芯片ETF 512760
天弘中证计算机主题ETF 159998
华富中证人工智能产业ETF 515980
炒股养家
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