0
(600509)天富热电 是目前国内唯一的碳化硅晶体生产企业,高纯度的碳化硅单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。LED照明、新一代功率器件、军工配套关键材料及产业化等都与碳化硅息息相关。06年5月全资子公司汇合达与中科院物理研究所等组建北京天科合达蓝光半导体有限公司(09年天科合达引进新股东,增资完成后,天科合达注册资本为10375万元,汇合达持股40.8%),以中科院物理研究所专利技术在北京进行碳化硅晶体研究和中试生产,从而进入第三代半导体材料碳化硅晶片产业,成为全球碳化硅晶片的主要供应商;09年2月披露,公司控股子公司天科合达目前共安装碳化硅晶体生长炉33台,初步具备了批量生产2英寸6H/4H导电型碳化硅晶片的能力(另据报道公司正致力于3、4英寸碳化硅晶片的研制开发),正向全球研发机构提供较高性价比的产品。此外,天科合达已开发出非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术。09年三季报披露,根据市场情况,公司新疆生产基地又订购了6台生长炉,截止目前,设备已安装完毕,正在调试运行。
三季度季报,第三个季度新安装六台晶体生长炉,新疆基地累计达到42台,加上北京研发基地的八台,共计51台,生长炉的安装呈爆发性增长模式。密切关注,其后生长炉的增加,就像古代军队的锅灶,数一数数量就指导他的军队人数,同样数生长炉也可以指导碳化硅的产能增长情况。目前密切关注它的4英寸晶体出炉情况,届时将发布公告,其产品质量已经处于国际领先,所要做的就是安装生长炉,大幅增加产能,产品将供不应求!碳化硅概念是继稀土概念后的最为独特的新材料股,股权将为此一飞冲天,提前兑现未来碳化硅利润贡献。
关于(600509)天富热电碳化硅材料应用的一个题材——石墨烯制备
加热 SiC法
该法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si,在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。具体过程是:将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热,除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后,将样品加热使之度升高至1250~1450℃后恒1min~20min,从而形成极薄的石墨层,经过几年的探索,Berger等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。 其厚度由加热度决定,制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。
一条以商品化碳化硅颗粒为原料,通过高裂解规模制备高品质无支持(Free standing)石墨烯材料的新途径。通过对原料碳化硅粒子、裂解度、速率以及气氛的控制,可以实现对石墨烯结构和尺寸的调控。这是一种非常新颖、对实现石墨烯的实际应用非常重要的制备方法。
上市公司中只有天富热电能独家生产碳化硅
0
天富热电:将是中国最早生产石墨烯的企业
多晶硅代表着今天科技,炭化硅代表明天的技术,那么石墨烯就代表终极进步
石墨烯的制备有几种方法,从炭化硅外延生长到石墨烯是最可靠的方法
事实也证明了这一方法的可靠,利用上述方法已成功的生产出4寸的石墨烯晶片
天富热电是世界上能生产炭化硅晶片的几家企业,也是中国唯一能生产炭化硅晶片的企业
以后将形成以炭化硅代替多晶硅为基础第三代半导体技术,石墨烯则是半导体的终极技术
目前 世 界 上制备石墨烯的常用方法有下面几种:
1.机 械 剥 离 天然石墨。基于机械 剥 离 方法制备样品,效率低,成本高,其晶体尺寸通常在几个微米以下,不能用于石墨烯样品的大量制作。
2.S i C衬底上外延。 S i C衬底上外延效率较高,晶片大。
3.化学气相积淀。缺点是无法制作大面积石墨烯
4.化学氧化还原和化学 剥 离 等。化学氧化还原利于批量生产,但易于混入杂质。
中国宝安(000009)发明的制备石墨烯的新方法--氟化膨胀石墨法就既能大批量生产纯度较高,尺寸又大的石墨烯。其方法是:第一步先把氟化合物作为嵌入剂嵌入 鳞 片 石墨层间, 使 鳞 片石墨碳-碳层间距离增大。第二步加热, 这些氟化合物在热能的作用下即可发生碳层 剥 离 现象, 相应地石墨体积随之增大,鳞片的石墨就能利用"二元法"而一层层剥开,一直到单层---石墨烯的产生。
天富热电(600509)可用几年前的技术将碳化硅加热即可分解出石墨烯,简单可靠效果大。