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在石墨烯的问题上中国的部分舆论及黑嘴集体选择了愚昧无知
在一个严肃的科学问题上能不能不懂就别信口开河,别拿着无知当有趣?别让人看笑话?
首先:关于石墨烯只是炒作的说法:为什么一个被诺贝尔认为具有 革 命 性 意义的新发现,到了中国就被认为是一种炒作?是诺贝尔物理学奖更具有科学真理的探索精神和价值?还是中国的一些给500元就能凭空捏造,断章取义的和科学没有丝毫瓜葛的 记 者?或者股评家?当2010年,诺贝尔物理学奖隆重的授予石墨烯的发明者,有科学家认为石墨烯将是终极材料,因为自然界中可能找不到或者很长时间都找不到比碳更轻的二维元素,并且这个物质能廉价的大量存在,来改写我们的元素周期表。石墨烯将改变我们的生活,带来上万亿的产业链。但是就是这样一个东西,却被个别黑嘴说成没有价值,如果石墨烯没有价值,谁比石墨烯更有价值?抛开价值不谈,谁能能做到比石墨烯更轻?谁能比石墨烯更坚韧?谁又能比石墨烯导电更快?
其次:关于辉钼:这是个早已被主流科学家抛弃的研究,因为辉钼虽然能开启能隙,但因为导电性极差。最近因为一个名不见经传的瑞士洛桑学院发表了一篇论文,认为辉钼比富勒烯更有可能替代硅。这其中存在两个问题,一是这个研究能否有足够证据说服主流的科学界,其次富勒烯和石墨烯是两个概念。石墨烯的导电性好于富勒烯的10倍,并且富勒烯不具备石墨烯的硬度。富勒烯是碳的同位素,是球形状的碳原子。富勒烯85年被发现后,产生了碳纳米管。这份报告只是和富勒烯做比较,但是即使是白纸黑字的翻译富勒烯。最后也被某些人冠以辉钼比石墨烯更有优势的耸人听闻的闹剧,光天化日之下的鱼目混珠。当然如果要说炒作,辉钼纯粹就是炒作。但我也并不认为辉钼的炒作对石墨烯有什么更坏的影响。好处有二。其一辉钼至少是石墨烯的分支,石墨烯是根本。辉钼让很多人认识到石墨烯的根本所在。其二:中国的资本市场,并非完全充斥着傻瓜,明辨是非者大有人在。
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SiC器件集中登陆市场
2011年功率器件市场除了传统MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外,一些新面孔也将由龙套升格为配角。碳化硅SiC早在10年以前就出现在半导体市场,随着工艺的成熟化和价格的平民化,诸多SiC功率器件将集结在2011年登陆功率市场。
三菱电机已成功采用SiC制成新器件,通过使用SiC制造的MOSFET和肖特基二极管,研发出一个达400V的11kW变频器原件,它比硅制造的变频器,减少能源损耗达七成,输出功率为 10 W/cm3。因此,SiC器件损耗更低,并能在更高温下运作,令器件变得更细小,用电量更低。至于SiC器件的上市时间,三菱电机并未透露。
另一家日本公司也暗暗发力SiC器件。RoHM在2008年收购生产SiC材料的SiCrystal公司之后,已掌握晶圆制造、前期工序、后期工序以及功率模块的一条龙体系。2010年4月RoHM已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。同年12月开始量产供货SiC的DMOSFET定制产品,预计将于2011年夏季供货通用产品。
德国研究项目“NEULAND”的6家成员企业宣布,通过使用新半导体材料,能将可再生能源、通信及照明各系统的能源损失减半。作为NEULAND成员之一,英飞凌明确地表示,2011年将推出SiC J-FET
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(600509)“天富热电”公布股票交易异常波动公告
截止2011年2月22日收市,新疆天富热电股份有限公司股票交易连续三个交易日收盘价格涨幅偏离值累计达20%,出现股票交易异常波动。
目前,公司经营情况正常;公司注意到近期互联网上有关于公司从事石墨烯产品开发的传闻,经核实,目前公司及其参股、控股子公司均未涉及石墨烯产品生产、研发业务;公司本次非公开发行股票事项正在进行中。
董事会确认,公司没有任何根据有关规定应予以披露而未披露的事项或与该事项有关的筹划、商谈、意向、协议等和对公司股票及其衍生品种交易价格产生较大影响的信息。
公司所有公开披露的信息均以在指定信息披露媒体《上海证券报》、《证券时报》及上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)刊登的正式公告为准,敬请投资者注意投资风险。
本摘要仅供参考,以当日指定披露媒体披露的公告全文为准。
这个公告有以下二点疑问:
(1)市场炒作的是它的碳化硅晶片,只字没提
(2)市场炒作它的石墨烯(天科合达蓝光)并非它的控股子公司,是它的孙公司,不在澄清之列
(3)市场的焦点在天科蓝光上,既然已经提到了石墨烯,就自然涉及到天科蓝光,但公告上却为什么偏偏不说天科蓝光,只点到子公司这一层面?
(4)要注意,市场炒作它的理由是碳化硅,并非石墨烯, 炒它的石墨烯题材也不是说它生产石墨烯,而是天科的CEO,中科院物理所的科学家陈小龙的973国家重点攻坚项目是通过碳化硅晶片进行石墨烯制备(技术储备)(其实地球人都知道,只有000009才小产石墨烯)
这四点公司都没有公司公告,研究三天最后出这个公告是别有用心的。
天科合达股本结构 天富热电占40.8%,天华投资占20%,中科院物理所24%,碳化硅发明人陈小龙占9.6%,北京林华科技公司5.6%。近期热门的 新材料石墨烯前景更广阔,但离实际应用, 形成商业化的产业链,尚有很长的路要走。
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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法申请(专利权)人: 科学院物理研究所
申 请 号: 200910077648.8 申 请 日: 2009.02.10
名 称: 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法
没人说碳化硅(SiC)是石墨烯!
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拜托!碳化硅不是石墨烯。
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我还可以发布消息说我量产石墨烯了呢
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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法申请(专利权)人: 科学院物理研究所
申 请 号: 200910077648.8 申 请 日: 2009.02.10
名 称: 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法
公 开 (公告) 号: CN101798706A 公开(公告)日: 2010.08.11
主 分 类 号: C30B29/02(2006.01)I 分案原申请号:
分 类 号: C30B29/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I
颁 证 日: 优 先 权:
申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
地 址: 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发 明 (设计)人: 陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉 国 际 申 请:
国 际 公 布: 进入国家日期:
专利 代理 机构: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代 理 人: 尹振启
[第10楼]
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全球碳化硅晶片龙头两年涨400倍
美国Cree公司 (全球碳化硅晶片先行者,年产量为30万片 占全球出货量的85%)
Cree股价从最初1美元涨到最高约400美元/股(复权价,期间二次十送十),成为美国新产业的大牛股。对我们有何启示?
碳化硅晶片是第三代半导体材料,可替代硅作芯片材料。其市场目前应用集中在以下领域:航天军工、新能源汽车、智能电网、LED、核能、节能电器等
天富热电---中国的Cree, 与中科院物理所成立北京天科合达蓝光半导体公司,中国唯一生产碳化硅的企业, 成为全球主要的供应商,产品成本具有非常大的竞争优势(天科合达80美元/片,竞争对手成本300美元)。
天科合达 碳化硅2010年有望突破万片,良品率有较大提升,2、3寸分别达到80%、50%。2011年可望进入量产临界点,特别是LED爆发需求。
碳化硅晶片在各个领域的运用实例
新能源新材料的运用中,LED碳化硅衬底性能远优于蓝宝石衬底,导致Sic衬底的LED外延和芯片全球产能较小的主因是Cree公司的垄断。
军事上的相控阵雷达 基于碳化硅(SiC)高功率收/发模块,由于其耐热性提高,SiC能提供比通常采用的材料更高的功率,因此雷达探测距离更远,目标分辨率更高,目标识别更精确。
家用电器方面,三菱、松下、东芝等大规模扩大生产线,生产节能型微波炉、冰箱、空调等能所用芯片,能够大幅度提高节能效率达20-30%;
混合动力汽车市场方面预计3-5年之后增长率会有大幅提高
IGB领域,高速铁路如果用硅基IGBT,需要配备一个很大的冷却装置;但如果使用碳化硅器件,冷却装置就可以小型化甚至可以省去,这对高速列车而言很有吸引力。
* 预计5年后全球需求量比现在有 十倍以上 的增长。
天科合达股本结构 天富热电占40.8%,天华投资占20%,中科院物理所24%,碳化硅发明人陈小龙占9.6%,北京林华科技公司5.6%。
* Cree很多专利2010-2011年到期,专利壁垒被削弱 .
近期热门的 新材料石墨烯前景更广阔,但离实际应用, 形成商业化的产业链,尚有很长的路要走。
碳化硅2011年订单全面爆发。公司是全国唯一专利规模化生产碳化硅的企业,完全替代进口,国家重点扶持项目。碳化硅除了用于科研,还广泛用于航空,半导体,LED,战机,航母,高铁,动力电池,超级电容器,计算机,导弹等高端前沿领域。
2011年是全世界石墨烯旋风之年,公司所属天科合达公司,背靠中科院物理研究所,公司老总陈小龙为该所研究员,博导,其研究团队专攻碳化硅高加热外延生长法制备石墨烯晶片,几年前就出研究成果,现在技术更为成熟,随时可以根据需要公告石墨烯晶片产业化。
天富热电(600509)当初因涉足碳化硅,股价从06年5月的4元附近被炒到07年10月的46.64元。一年多时间股价足足翻了10倍,堪称股市奇迹。后因碳化硅当时过于超前,国家产业偏重传统产业,碳化硅上下产业链尚未展开,导致碳化硅订单较少,效能无法释放,股价随后滑落,一直在10元以下徘徊,至今3年多过去,股价仍趴在10元附近长期震荡,跌无可跌。
08年世界危机后,中央痛定思痛调整了国家产业策,传统产业不再是国家重点发展方向,国家要实现弯道超车而明确提出了12-五规划的7大战略新兴产业,从策资金税收等各方面给以保护和支持,这对碳化硅产业来说,无疑是春天的到来,这意味着碳化硅上下产业链将被彻底打通。公司碳化硅2010年上半年就获得221.44多万元利润,较同期增长298.60%,下半年更是订单猛增。随着世界经济的复苏和国家对7大战略新兴产业的重点保护发展,公司碳化硅订单在2011年将暴涨。加之碳化硅又是制备石墨烯的直接原料,公司又有制备石墨烯的技术,随着全世界对石墨烯的痴迷和狂热,碳化硅和石墨烯这两个引擎,不会不被世界产业资本和资本大鳄所关注和重视,当它们虎视眈眈,鱼贯而入时,就是天富热电股价腾空而飞之际。
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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 专利号 CN200910077648.8
专利持有人:中国科学院物理研究所 发明人:陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉
本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长,这种石墨烯在电子束轰击下,强制形核并可控生长。石墨烯的层数可以控制在6层以下,生成区域的平均直径可达厘米量级。制备方法采用真空脉冲电子束轰击。先将SiC去位清洗并将表面氢蚀成原子级平整度的原子台阶。在真空腔中对SiC采用脉冲电子束轰击,形成的石墨烯连成一片;旋转靶台,继续轰击,新生成的石墨烯会与先生成的合并;重复这一过程,可以制备大面积的石墨烯。扫描隧道显微镜(STM)研究表明通过本发明脉冲电子束法可以在SiC表面上形成高质量石墨烯。
一种在碳化硅(SiC)基底上外延生长碳纳米薄膜石墨烯的方法,其特征在于,制备过程包括以下步骤:(1)先将SiC基底进行去位清洗预处理,以消除表面氧化物和其它杂质;(2)将清洗后的SiC基底置于CVD管式炉中,先抽真空,真空度一般高于10-5Torr;然后通入氢氩混合气,在1500℃以上氢蚀,直到晶片表面达原子级平整度;(3)将氢蚀后的SiC基底置于脉冲电子束沉积系统(PED)真空腔中的靶台上;(4)将真空度调节到小于20mTorr;通过改变真空腔中原有的基底台的度,对真空腔进行度调控,调整真空腔中加热度,使得靶台上SiC基底表面的度在300℃以下;(5)采用真空电子束轰击基底,靶台上SiC基底表面被轰击区域的硅逐渐蒸发,剩余碳发生重构,并逐渐形成连续的石墨烯,旋转靶台继续轰击,先后形成的石墨烯连成一片,最终形成所需尺寸的石墨烯;(6)升高基底台度到750℃以上,保持真空度在10-4Torr以下,退火以消除石墨烯在生长过程中形成的表面缺陷。
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吹,使劲吹!