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石墨烯---中国赶超世界新科技步伐契机!

11-02-25 17:05 2951次浏览
中国投机者
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石墨烯

石墨烯是一种由碳原子紧密堆积构成的二维晶体,是包括富勒烯、碳纳米管、石墨在内的碳的同素异形体的基本组成单元,就是石墨的单层薄片。石墨烯不仅是已知材料中最薄的一种,还非常牢固坚硬;作为单质,它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。石墨几乎是矿物质中最软的,但如果“切”成一个碳原子厚的薄片,“性格”就会发生巨变:重量很轻,强度、韧性、透光性及导电性却是世界各种材料中的“冠军”。石墨烯,是人类已知强度最高、韧性最好、重量最轻、透光率最高、导电性最佳的材料。2010年10月5日,英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫因在石墨烯(graphene)研究方面的杰出成就而荣获2010年诺贝尔物理学奖。


石墨烯的发现:
2004年,英国曼彻斯特大学的安德烈·K·海姆(Andre K.Geim)等制备出了石墨烯。海姆 和他的同事偶然中发现了一种简单易行的新途径。他们强行将石墨分离成较小的碎片,从碎片中剥离出较薄的石墨薄片,然后用普通的塑料胶带粘住薄片的两侧,撕开胶带,薄片也随之一分为二。不断重复这一过程,就可以得到越来越薄的石墨薄片,而其中部分样品仅由一层碳原子构成——他们制得了石墨烯。据Geim说,还有一个哥伦比亚教授也在同时研究石墨烯,他们是用“高科技”一点的方法——用AFM显微镜的原子钢针甩一下石墨表面1-3个原子厚的地方,希望能带下一些石墨烯,可惜计划失败,胶带法赢了AFM法。   

石墨烯的结构:
石墨烯的问世引起了全世界的研究热潮。它不仅是已知材料中最薄的一种,还非常牢固坚硬;作为单质,它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。石墨烯在原子尺度上结构非常特殊,必须用相对论量子物理学(relativistic quantum physics)才能描绘。石墨烯结构非常稳定,迄今为止,研究者仍未发现石墨烯中有碳原子缺失的情况。石墨烯中各碳原子之间的连接非常柔韧,当施加外部机械力时,碳原子面就弯曲变形,从而使碳原子不必重新排列来适应外力,也就保持了结构稳定。这种稳定的晶格结构使碳原子具有优秀的导电性。石墨烯中的电子在轨道中移动时,不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射。由于原子间作用力十分强,在常温下,即使周围碳原子发生挤撞,石墨烯中电子受到的干扰也非常小。

石墨烯的特性: 石墨烯最大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1/300,远远超过了电子在一般导体中的运动速度,石墨烯具有许多独特的物理化学性质,如高比表面积、高导电性、机械强度高、易于修饰及大规模生产等。这使得石墨烯中的电子,或更准确地,应称为“载荷子”,在一片石墨烯晶体上人为施加一个电压(相当于一个势垒),然后测定石墨烯的电导率。一般认为,增加了额外的势垒,电阻也会随之增加,但事实并非如此,因为所有的粒子都发生了量子隧道效应,通过率达100%。这也解释了石墨烯的超强导电性:相对论性的载荷子可以在其中完全自由地穿行。 研究也发现,尽管只有单层原子厚度,但石墨烯有相当的不透明度:可以吸收大约2.3%的可见光。而这也是石墨烯中载荷子相对论性的体现。美国哥伦比亚大学两名华裔科学家最近发现,铅笔石墨中一种叫做石墨烯的二维碳原子晶体,竟然比钻石还坚硬,强度比世界上最好的钢铁还要高上100倍。作为炭材料最小的构筑单元,二维大分子石墨烯在水油界面和催化剂作用下具有自组装潜力。这种物质为“太空电梯”超韧缆线的制造打开了一扇“阿里巴巴”之门,让科学家梦寐以求的2.3万英里长(约合37000千米)太空电梯可能成为现实。石墨烯可以应用于晶体管、触摸屏、基因测序等领域,同时有望帮助物理学家在量子物理学研究领域取得新突破。

石墨烯的硬度:
用原子尺寸的金属和钻石探针对只有100分之一头发丝宽度的石墨烯薄片进行穿刺后发现:石墨烯比钻石还强硬,1克石墨烯可铺满一个足球场,韧性也令人惊讶,断裂强度比世界上最好的钢铁还高100倍!美国机械工程师杰弗雷·基萨教授用一种形象的方法解释了石墨烯的强度:如果将一张和食品保鲜膜一样薄的石墨烯薄片覆盖在一只杯子上,然后试图用一支铅笔戳穿它,那么需要一头大象站在铅笔上,才能戳穿只有保鲜膜厚度的石墨烯薄层。

石墨烯的制作方法:
石墨烯的合成方法主要有两种:机械方法和化学方法。机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热SiC的方法;化学方法是化学分散法。最普通的是微机械分离法,直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剪裁下来。2004年Novoselovt等用这种方法制备出了单层石墨烯,并可以在外界环境下稳定存在。典型制备方法是用另外一种材料膨化或者引入缺陷的热解石墨进行摩擦,体相石墨的表面会产生絮片状的晶体,在这些絮片状的晶体中含有单层的石墨烯。

石墨烯的未来:
地球上很容易找到石墨原料,而石墨烯堪称是人类已知的强度最高的物质,它将拥有众多令人神往的发展前景。它不仅可以开发制造出纸片般薄的超轻型飞机材料、可以制造出超坚韧的防弹衣,甚至还为“太空电梯”缆线的制造打开了一扇“阿里巴巴”之门。美国研究人员称,“太空电梯”的最大障碍之一,就是如何制造出一根从地面连向太空卫星、长达23000英里并且足够强韧的缆线,美国科学家证实,地球上强度最高的物质“石墨烯”完全适合用来制造太空电梯缆线!人类通过“太空电梯”进入太空,所花的成本将比通过火箭升入太空便宜很多。为了激励科学家发明出制造太空电梯缆线的坚韧材料,美国NASA此前还发出了400万美元的悬赏。石墨烯除了异常牢固外,还具有一系列独一无二的特性,石墨烯还是目前已知导电性能最出色的材料,使它在微电子领域具有巨大的应用潜力。研究人员甚至将石墨烯看作是硅的替代品,能用来生产未来的超高速计算机,可以让电脑开机只需1秒钟。这种物质不仅可以用来开发制造出纸片般薄的超轻型飞机材料、制造出超坚韧的防弹衣,甚至能让科学家梦寐以求的2.3万英里长太空电梯成为现实。石墨烯将给电子业带来“工业革命”。

石墨烯的市场价值:

据悉目前在国际上,石墨烯的价格是黄金的16倍,大约5000元人民币一克。行内的观点是,如果石墨烯达到年产20克以上并进行市场销售的话,就可说是实现市场化。而令我们兴奋的是,深圳贝特瑞新能源材料有限公司已经成功研发生产石墨烯这一神奇的新材料。据了解,该公司石墨烯已经进入产业化阶段,预计月产量100千克,年产价值达60亿元。
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中国投机者

11-03-02 12:50

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在石墨烯的问题上中国的部分舆论及黑嘴集体选择了愚昧无知
  
  在一个严肃的科学问题上能不能不懂就别信口开河,别拿着无知当有趣?别让人看笑话?
  
  首先:关于石墨烯只是炒作的说法:为什么一个被诺贝尔认为具有 革 命 性 意义的新发现,到了中国就被认为是一种炒作?是诺贝尔物理学奖更具有科学真理的探索精神和价值?还是中国的一些给500元就能凭空捏造,断章取义的和科学没有丝毫瓜葛的 记 者?或者股评家?当2010年,诺贝尔物理学奖隆重的授予石墨烯的发明者,有科学家认为石墨烯将是终极材料,因为自然界中可能找不到或者很长时间都找不到比碳更轻的二维元素,并且这个物质能廉价的大量存在,来改写我们的元素周期表。石墨烯将改变我们的生活,带来上万亿的产业链。但是就是这样一个东西,却被个别黑嘴说成没有价值,如果石墨烯没有价值,谁比石墨烯更有价值?抛开价值不谈,谁能能做到比石墨烯更轻?谁能比石墨烯更坚韧?谁又能比石墨烯导电更快?
  
  其次:关于辉钼:这是个早已被主流科学家抛弃的研究,因为辉钼虽然能开启能隙,但因为导电性极差。最近因为一个名不见经传的瑞士洛桑学院发表了一篇论文,认为辉钼比富勒烯更有可能替代硅。这其中存在两个问题,一是这个研究能否有足够证据说服主流的科学界,其次富勒烯和石墨烯是两个概念。石墨烯的导电性好于富勒烯的10倍,并且富勒烯不具备石墨烯的硬度。富勒烯是碳的同位素,是球形状的碳原子。富勒烯85年被发现后,产生了碳纳米管。这份报告只是和富勒烯做比较,但是即使是白纸黑字的翻译富勒烯。最后也被某些人冠以辉钼比石墨烯更有优势的耸人听闻的闹剧,光天化日之下的鱼目混珠。当然如果要说炒作,辉钼纯粹就是炒作。但我也并不认为辉钼的炒作对石墨烯有什么更坏的影响。好处有二。其一辉钼至少是石墨烯的分支,石墨烯是根本。辉钼让很多人认识到石墨烯的根本所在。其二:中国的资本市场,并非完全充斥着傻瓜,明辨是非者大有人在。
中国投机者

11-03-01 10:53

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SiC器件集中登陆市场
  
  2011年功率器件市场除了传统MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外,一些新面孔也将由龙套升格为配角。碳化硅SiC早在10年以前就出现在半导体市场,随着工艺的成熟化和价格的平民化,诸多SiC功率器件将集结在2011年登陆功率市场。
  
  三菱电机已成功采用SiC制成新器件,通过使用SiC制造的MOSFET和肖特基二极管,研发出一个达400V的11kW变频器原件,它比硅制造的变频器,减少能源损耗达七成,输出功率为 10 W/cm3。因此,SiC器件损耗更低,并能在更高温下运作,令器件变得更细小,用电量更低。至于SiC器件的上市时间,三菱电机并未透露。
  
  另一家日本公司也暗暗发力SiC器件。RoHM在2008年收购生产SiC材料的SiCrystal公司之后,已掌握晶圆制造、前期工序、后期工序以及功率模块的一条龙体系。2010年4月RoHM已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。同年12月开始量产供货SiC的DMOSFET定制产品,预计将于2011年夏季供货通用产品。
  
  德国研究项目“NEULAND”的6家成员企业宣布,通过使用新半导体材料,能将可再生能源、通信及照明各系统的能源损失减半。作为NEULAND成员之一,英飞凌明确地表示,2011年将推出SiC J-FET
中国投机者

11-02-27 22:39

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(600509)“天富热电”公布股票交易异常波动公告
  
  截止2011年2月22日收市,新疆天富热电股份有限公司股票交易连续三个交易日收盘价格涨幅偏离值累计达20%,出现股票交易异常波动。
  
  目前,公司经营情况正常;公司注意到近期互联网上有关于公司从事石墨烯产品开发的传闻,经核实,目前公司及其参股、控股子公司均未涉及石墨烯产品生产、研发业务;公司本次非公开发行股票事项正在进行中。
  
  董事会确认,公司没有任何根据有关规定应予以披露而未披露的事项或与该事项有关的筹划、商谈、意向、协议等和对公司股票及其衍生品种交易价格产生较大影响的信息。
  
  公司所有公开披露的信息均以在指定信息披露媒体《上海证券报》、《证券时报》及上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)刊登的正式公告为准,敬请投资者注意投资风险。
  
  本摘要仅供参考,以当日指定披露媒体披露的公告全文为准。

这个公告有以下二点疑问:
 (1)市场炒作的是它的碳化硅晶片,只字没提
(2)市场炒作它的石墨烯(天科合达蓝光)并非它的控股子公司,是它的孙公司,不在澄清之列
 (3)市场的焦点在天科蓝光上,既然已经提到了石墨烯,就自然涉及到天科蓝光,但公告上却为什么偏偏不说天科蓝光,只点到子公司这一层面?
(4)要注意,市场炒作它的理由是碳化硅,并非石墨烯, 炒它的石墨烯题材也不是说它生产石墨烯,而是天科的CEO,中科院物理所的科学家陈小龙的973国家重点攻坚项目是通过碳化硅晶片进行石墨烯制备(技术储备)(其实地球人都知道,只有000009才小产石墨烯)
  这四点公司都没有公司公告,研究三天最后出这个公告是别有用心的。

天科合达股本结构 天富热电占40.8%,天华投资占20%,中科院物理所24%,碳化硅发明人陈小龙占9.6%,北京林华科技公司5.6%。近期热门的 新材料石墨烯前景更广阔,但离实际应用, 形成商业化的产业链,尚有很长的路要走。
中国投机者

11-02-27 21:43

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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法申请(专利权)人: 科学院物理研究所
  
  
  申  请  号:  200910077648.8 申  请  日:  2009.02.10 
  名  称:  在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法  

没人说碳化硅(SiC)是石墨烯!
泸大小男生

11-02-25 18:52

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拜托!碳化硅不是石墨烯。
随心所鱼

11-02-25 18:44

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我还可以发布消息说我量产石墨烯了呢
冬天里

11-02-25 18:01

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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法申请(专利权)人: 科学院物理研究所
  
  申  请  号:  200910077648.8 申  请  日:  2009.02.10 
  名  称:  在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法  
  公 开 (公告) 号:  CN101798706A  公开(公告)日:  2010.08.11  
  主  分  类  号:  C30B29/02(2006.01)I 分案原申请号:  
  分  类  号:  C30B29/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I  
  颁  证  日:  优  先  权:  
  申请(专利权)人:  中国科学院物理研究所  
  地  址:  100190 北京市海淀区中关村南三街8号 
  发 明 (设计)人:  陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉  国  际 申 请:  
  国  际  公  布:  进入国家日期:  
  专利 代理 机构:  北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003  代  理  人:  尹振启
[第10楼]
中国投机者

11-02-25 17:56

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全球碳化硅晶片龙头两年涨400倍
  美国Cree公司 (全球碳化硅晶片先行者,年产量为30万片 占全球出货量的85%)
  
  Cree股价从最初1美元涨到最高约400美元/股(复权价,期间二次十送十),成为美国新产业的大牛股。对我们有何启示?
  碳化硅晶片是第三代半导体材料,可替代硅作芯片材料。其市场目前应用集中在以下领域:航天军工、新能源汽车、智能电网、LED、核能、节能电器等
  天富热电---中国的Cree, 与中科院物理所成立北京天科合达蓝光半导体公司,中国唯一生产碳化硅的企业, 成为全球主要的供应商,产品成本具有非常大的竞争优势(天科合达80美元/片,竞争对手成本300美元)。
  天科合达 碳化硅2010年有望突破万片,良品率有较大提升,2、3寸分别达到80%、50%。2011年可望进入量产临界点,特别是LED爆发需求。  
  碳化硅晶片在各个领域的运用实例
  新能源新材料的运用中,LED碳化硅衬底性能远优于蓝宝石衬底,导致Sic衬底的LED外延和芯片全球产能较小的主因是Cree公司的垄断。
  军事上的相控阵雷达 基于碳化硅(SiC)高功率收/发模块,由于其耐热性提高,SiC能提供比通常采用的材料更高的功率,因此雷达探测距离更远,目标分辨率更高,目标识别更精确。
  家用电器方面,三菱、松下、东芝等大规模扩大生产线,生产节能型微波炉、冰箱、空调等能所用芯片,能够大幅度提高节能效率达20-30%; 
  混合动力汽车市场方面预计3-5年之后增长率会有大幅提高
  IGB领域,高速铁路如果用硅基IGBT,需要配备一个很大的冷却装置;但如果使用碳化硅器件,冷却装置就可以小型化甚至可以省去,这对高速列车而言很有吸引力。
  
  * 预计5年后全球需求量比现在有 十倍以上 的增长。  
  天科合达股本结构 天富热电占40.8%,天华投资占20%,中科院物理所24%,碳化硅发明人陈小龙占9.6%,北京林华科技公司5.6%。
  * Cree很多专利2010-2011年到期,专利壁垒被削弱  .  
  
  近期热门的 新材料石墨烯前景更广阔,但离实际应用, 形成商业化的产业链,尚有很长的路要走。

  碳化硅2011年订单全面爆发。公司是全国唯一专利规模化生产碳化硅的企业,完全替代进口,国家重点扶持项目。碳化硅除了用于科研,还广泛用于航空,半导体,LED,战机,航母,高铁,动力电池,超级电容器,计算机,导弹等高端前沿领域。

  2011年是全世界石墨烯旋风之年,公司所属天科合达公司,背靠中科院物理研究所,公司老总陈小龙为该所研究员,博导,其研究团队专攻碳化硅高加热外延生长法制备石墨烯晶片,几年前就出研究成果,现在技术更为成熟,随时可以根据需要公告石墨烯晶片产业化。
  
  天富热电(600509)当初因涉足碳化硅,股价从06年5月的4元附近被炒到07年10月的46.64元。一年多时间股价足足翻了10倍,堪称股市奇迹。后因碳化硅当时过于超前,国家产业偏重传统产业,碳化硅上下产业链尚未展开,导致碳化硅订单较少,效能无法释放,股价随后滑落,一直在10元以下徘徊,至今3年多过去,股价仍趴在10元附近长期震荡,跌无可跌。

  08年世界危机后,中央痛定思痛调整了国家产业策,传统产业不再是国家重点发展方向,国家要实现弯道超车而明确提出了12-五规划的7大战略新兴产业,从策资金税收等各方面给以保护和支持,这对碳化硅产业来说,无疑是春天的到来,这意味着碳化硅上下产业链将被彻底打通。公司碳化硅2010年上半年就获得221.44多万元利润,较同期增长298.60%,下半年更是订单猛增。随着世界经济的复苏和国家对7大战略新兴产业的重点保护发展,公司碳化硅订单在2011年将暴涨。加之碳化硅又是制备石墨烯的直接原料,公司又有制备石墨烯的技术,随着全世界对石墨烯的痴迷和狂热,碳化硅和石墨烯这两个引擎,不会不被世界产业资本和资本大鳄所关注和重视,当它们虎视眈眈,鱼贯而入时,就是天富热电股价腾空而飞之际。
中国投机者

11-02-25 17:46

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在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法  专利号 CN200910077648.8 

专利持有人:中国科学院物理研究所 发明人:陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉

  本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长,这种石墨烯在电子束轰击下,强制形核并可控生长。石墨烯的层数可以控制在6层以下,生成区域的平均直径可达厘米量级。制备方法采用真空脉冲电子束轰击。先将SiC去位清洗并将表面氢蚀成原子级平整度的原子台阶。在真空腔中对SiC采用脉冲电子束轰击,形成的石墨烯连成一片;旋转靶台,继续轰击,新生成的石墨烯会与先生成的合并;重复这一过程,可以制备大面积的石墨烯。扫描隧道显微镜(STM)研究表明通过本发明脉冲电子束法可以在SiC表面上形成高质量石墨烯。

  一种在碳化硅(SiC)基底上外延生长碳纳米薄膜石墨烯的方法,其特征在于,制备过程包括以下步骤:(1)先将SiC基底进行去位清洗预处理,以消除表面氧化物和其它杂质;(2)将清洗后的SiC基底置于CVD管式炉中,先抽真空,真空度一般高于10-5Torr;然后通入氢氩混合气,在1500℃以上氢蚀,直到晶片表面达原子级平整度;(3)将氢蚀后的SiC基底置于脉冲电子束沉积系统(PED)真空腔中的靶台上;(4)将真空度调节到小于20mTorr;通过改变真空腔中原有的基底台的度,对真空腔进行度调控,调整真空腔中加热度,使得靶台上SiC基底表面的度在300℃以下;(5)采用真空电子束轰击基底,靶台上SiC基底表面被轰击区域的硅逐渐蒸发,剩余碳发生重构,并逐渐形成连续的石墨烯,旋转靶台继续轰击,先后形成的石墨烯连成一片,最终形成所需尺寸的石墨烯;(6)升高基底台度到750℃以上,保持真空度在10-4Torr以下,退火以消除石墨烯在生长过程中形成的表面缺陷。
sashilover

11-02-25 17:43

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