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辉钼可望成为下一代半导体材料

11-02-17 11:00 2320次浏览
阴阳K线
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辉钼可望成为下一代半导体材料

发布时间:2011-02-17

新一期英国《自然·纳米技术》杂志日前刊登报告说,单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性,有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯,可望成为下一代半导体材料。
与现在广泛使用的硅材料相比,辉钼具有两个主要优点:一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料,电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如移动,同时,现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄;二是能耗更低。据估计,辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。

(以上据新华社电)

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smell888

11-02-24 10:00

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辉钼材料概念
  最近研究发现单层辉钼材料具有良好的半导体特性,有望成为下一代半导体材料。
  金钼股份(601958)、宏达股份(600331)等辉钼材料企业或迎来新的发展机遇。
smell888

11-02-24 09:57

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辉钼材料概念
  最近研究发现单层辉钼材料具有良好的半导体特性,有望成为下一代半导体材料。
  金钼股份(601958)、宏达股份(600331)等辉钼材料企业或迎来新的发展机遇。
hahaqpc

11-02-23 18:04

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紫金矿业 保有的矿产资源/储量主要包括:钼(含伴生钼)38.52万吨
阴阳K线

11-02-23 16:20

0
板啊
观世不语

11-02-22 12:16

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关注601958、600576、000697
jungangli

11-02-17 22:27

0
呵呵
郁闷的狼狗

11-02-17 14:24

0
最大的疑问
硅到处都是
钼哪有这么多
阴阳K线

11-02-17 14:05

0
我国钼矿分布就大区来看,中南占全国钼储量的35.7%,居首位。其次是东北19.5%、西北14.9%、华东13.9%、华北12%,而西南仅占4%。就各省(区)来看,河南储量最多,占全国钼矿总储量的29.9%,其次陕西占13.6%,吉林占13%。另外储量较多的省(区)还有:山东占6.7%、河北占6.6%、江西占4%、辽宁占3.7%、内蒙古占3.6%。以上8个省(区)合计储量占全国钼矿总保有储量的81.1%,其中前三位的河南、陕西、吉林三省就占56.5%。
好好晃

11-02-17 13:42

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高铁建设的发展,水利设施的建设,海洋工程的建立,核电站的建设都离不开特种钢铁,特钢里面少不了的是就是钼
阴阳K线

11-02-17 11:44

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辉钼材料异军突起 或成为新一代半导体材料 
作者:  时间:2011-02-09  来源:科技日报  
 
  近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。研究论文发表在1月30日的《自然?纳米技术》杂志上。

  辉钼在自然界中含量丰富,通常用于合金钢或润滑油添加剂中的成分,在电子学领域尚未得到广泛研究。“它是一种二维材料,非常薄,很容易用在纳米技术上,在制造微型晶体管、发光二极管(LEDs)、太阳能电池等方面有很大潜力。”洛桑联邦理工学院教授安德列斯?凯斯说,他们将这种材料同硅以及当前主要用于电子和计算机芯片的富勒烯进行了对比。

  同硅相比,辉钼的优势之一是体积更小,辉钼单分子层是二维的,而硅是一种三维材料。“在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上,电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易。”凯斯解释说,“但目前不可能把硅薄膜做得像辉钼薄膜那么薄。”

  辉钼的另一大优势是比硅的能耗更低。在固态物理学中,能带理论描述了在特定材料中电子的能量。在半导体中,自由电子存在于这些能带之间,称为“带隙”。如果带隙不太小也不太大,某些电子就能跳过带隙,能更有效控制材料的电子行为,开关电路更容易。

  辉钼单分子层内部天然就有较大的带隙,虽然它的电子流动性较差,但在制造晶体管时,用一种氧化铪介质栅门就可使室温下单层辉钼的运动性提高,达到富勒烯纳米带的水平。富勒烯没有带隙,要想在上面人为造出带隙非常复杂,还会降低其电子流动性,或者需要高电压。由于辉钼直接就有带隙,可以用单层辉钼制造间带通道场效应晶体管,且在稳定状态下耗能比传统硅晶体管小10万倍。在光电子学和能量捕获应用领域,单层辉钼还能与富勒烯共同使用,形成优势互补。
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