给石墨烯升升温，美国研制出石墨烯晶体管开关频率提高1000倍

美国南安普敦大学？胡说八道，南安普敦大学在英国，自己查一下在转帖

哈哈哈... 想起了亿安科技的“多碳纳米管”， 忽悠， 太能忽悠了... 不靠谱啊有点。

[引用原文已无法访问]

谢谢您的质疑和科技知识的普及O(∩_∩)O
但是个人在A股更注重的是投机，而不是关心背后的投资，如果是投资就不来A股了O(∩_∩)O
从08年的登海种业，隆平高科.....09年的锂电池,甲流，区域经济....10年的稀图永磁.....年末的高铁，水利
小资金不认准热点参与，那来A股干嘛呢？您说呢，当然您可能是发现价值低洼的高手，小妹我不行只能往钱多人傻里钻O(∩_∩)O

我实在也太不幸了 加了两天仓 涨停那天盘尾给吓出去了
[引用原文已无法访问]

FIB是 focused ion beam 的缩写，中文叫做“聚焦离子束”
工业上用来做集成电路修补的，千八百个集成电路里有一两个在流片的时候出了点小问题，就靠这技术来修补修补。
是把镓离子之类的液态金属离子喷到集成电路上，操作起来异常的复杂，产率又低，觉无可能用于商业大生产。
不瞒您说，我本人就玩过这个，对这也算熟悉。

因此，可以很容易实现商业化生产

这句话很重要

欢迎质疑的，A股越质疑越涨

哈哈，争议越大越好

哥们，太阳底下没有新鲜事
这种东西在我的帖子里也泼过冷水了
原文报道在这里
http://www.soton.ac.uk/mediacentre/news/2011/feb/11_14.shtml
该作者发表的论文在这里
http://dx.doi.org/10.1049/el.2010.3029
报道里这么说
Dr Moktadir developed this transistor using the new helium ion beam microscope and a focused gallium ion beam system in the Southampton Nanofabrication Centre, which has some of the best nanofabrication facilities in the world.
论文的摘要这么说
The transistor has a U-shaped geometry and was fabricated using a gallium focused ion beam (FIB). 

作者想说的是他用FIB这项技术来实现了石墨烯的晶体管 
你要是知道FIB是一项什么技术就要骂娘了

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0009中在争议中钱行，在一致看好时衰落