我校“超高亮度氮化镓蓝光LED外延片研制”项目成果通过验收和鉴定
发布时间:2009-03-11 发布人:liwh 已查看15次
2月27日,受广东省科技厅委托,广东省教育厅在我校主持召开了“超高亮度氮化镓蓝光LED外延片研制”项目成果验收和鉴定会。该项目为广东省科技攻关项目,由我校和广东健隆达光电科技有限公司共同完成。验收鉴定委员会专家组由来自中山大学、华南理工大学、暨南大学、广东工业大学、信息产业部电子第七研究所和第五研究所、广东省公安厅的7位专家组成。广东省教育厅科研处谢春艳科长、我校科技处安宁副处长以及课题组有关成员参加了验收鉴定会。
“超高亮度氮化镓蓝光LED外延片研制”项目由我校光电子材料与技术研究所李述体副教授主持,项目对超高亮度氮化镓蓝光LED外延片研制进行了深入研究。课题组重点做了两方面创新性研究:通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错的深入研究,采用控制成核点密度尺寸和缓冲层、高温GaN生长模式,获得了位错密度低于1×108/cm2、界面平整的未掺杂GaN材料;通过研究量子阱调制掺杂、应力、电学性能控制,提高量子阱对电子和空穴的束缚作用,降低应力所产生的静电场对电子和空穴复合的影响,提高了量子阱整体性能,生长出了超高亮度蓝光LED外延片。研究成果在低位错密度的GaN材料生长、量子阱结构设计、p形接触层设计等方面均具有创新性。
验收鉴定会上,专家组听取了课题组的总结报告、技术报告、查新报告、测试报告和用户报告等汇报,进行了现场考察和问询,经认真讨论,一致认为该项目成果具有明显的创新性,成果总体技术处于国内领先水平,同意通过科技成果验收和鉴定。