由氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)及其合金组成的Ill族氮化物(又称GaN基)
半导体是最重要的一类宽禁带半导体。其主要应用领域包括:
(1)照明领域:当前在国内外非常受人瞩目的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源,它将取代使用的大部分传统光源,被称为21世纪照明光源的革命,而氮化镓基高效率、高亮度发光二极管(LED)的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。
(2)光存储领域:DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长的平方呈反比,而氮化镓基短波长半导体激光器可以把当前使用的砷化镓(GaAs)基半导体激光器的DVD光存储密度提高4~5倍,将会成为新型光存储和处理的主流技术。
(3)电子器件领域:高温、高频、高功率微波器件是无线通信、国防等领域急需的电子器件,如果使用的微波功率管的输出功率密度提高一个数量级,微波器件的工作温度提高到300℃,将解决航天航空用电子装备和民用移动
通信系统的一系列难题。碳化硅材料是宽禁带半导体材料的另一个代表。碳化硅的工作温度可达600℃,优异的特性使其在研制高温、高频、大功率、抗辐射器件以及紫外探测器、短波发光二极管等方面具有广阔的应用前景。