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所有半导体芯片的基本保障都需要安泰科技  高纯度钨钼弧室是半导体芯片良率的基本保障，安泰天龙的高性能离子注入Source  Head钨钼部件又极大降低了机台维护频率
所有半导体芯片的基本保障都需要安泰科技
高纯度钨钼弧室是半导体芯片良率的基本保障，安泰天龙的高性能离子注入Source  Head钨钼部件又极大降低了机台维护频率，保证了客户产能，是客户最佳产品选择。  
电子封装是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。同时封装也是芯片输出、输入端向外过渡的连接手段，与芯片共同形成一个完整的整体。电子封装材料要求具有一定的机械强度、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性，并根据集成电路类别和使用场所的不同，选用不同的封装结构和材料。
在功率电子器件和电路中散热是一个不可避免的副产品。热沉材料有助于消散芯片热量，将其传输到周围的空气中。
钼铜、钨铜、CMC和CMCC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却  IGBT  模块、RF功率放大器、LED  芯片等各种产品，可用于大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件（热沉材料）和引线框架。
功率半导体封装管壳
IGBT模块
产品优势：CMCC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，芯材为钼铜或钼，双面覆以铜。其以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案，有助于冷却  IGBT  模块等各种大功率元器件。
AlSiC
产品优势：（AlSiC）铝碳化硅IGBT基板是高铁上必不可少的零件。铝碳化硅复合材料是将碳化硅陶瓷与金属铝复合而成的新材料，将陶瓷与金属的优秀品质齐集一身，热导率高、热膨胀系数低、比刚度好、质量轻，是理想的功率电子基板材料和衬底材料，与电子芯片焊接后可实现良好工作匹配。铝碳化硅基板封装的IGBT产品广泛应用于高铁驱动、地铁驱动、新能源汽车、风力发电、焊接机器人等行业。
AlSi
产品优势：主要用于电子封装，在微波功率器件，集成功率模块，T/R模块等电子功率器件中，利用硅铝合金作为电子封装材料的基座，外壳，盒体，盖板，匹配性好，可提供更好的散热，能极大的延长封装大功率模块的使用寿命，可靠性增加。该材料具有重量轻（密度2.4—2.7g/cm3），热导率高，热膨胀系数低，刚度高，易于机加工，表面镀覆性能以及焊接性能好，材料致密性好，耐高温，耐腐蚀等特点。  安泰的高精尖电子级新材料在半导体，芯片，新能源汽车，航天航空………等都属于垄断式龙头。

     

    

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