特斯拉全面布局碳化硅:特斯拉在Model 3车型中对碳化硅MOSFET的应用,是碳化硅领域最引人注目的新闻之一。
由于特斯拉的引导效应,碳化硅作为功率器件在地球上的普及可能被提速了一倍。这不仅对电车产业,也对其它行业的节能产生了巨大而积极的推动作用。特斯拉为了追求行驶里程仅5%的提升,不惜贵几倍的代价在业界率先全面采用碳化硅(SiC)替代IGBT。
碳化硅是最接近大规模商业化的第三代
半导体材料
自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。
第二代半导体材料主要指化合物半导体材料(如砷化镓)、三元化合物半导体(如GaAsAl)、玻璃半导体(如非晶硅)等,主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,也是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
碳化硅概念股汇总碳化硅上市公司汇总:
精功科技(
002006 ):公司加快碳化硅项目研究和论证,继续对硅晶体生长技术加大投入。
见公司年报: