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消息溯源

@老8的股票 恭喜8师傅满仓大肉，昨天到外地学去了没有及时看盘错过了你的提示。请教你一下，聚灿看分时是买入的，但是为什么DDY确是—2？而易事特分时是卖出的，DDY确是正值有点疑惑，还有进来发现很多300开头的涨停板DDY数值都不太高不知什么原因，请赐教。

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这里简单介绍一下第三代半导体：
宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为1.12eV），其中较为典型的和成熟的包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，其余包括氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等的研究尚处于起步阶段。第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路；其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。
以氮化镓（GaN）为例，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。5G基站射频器件对高频材料的需求，以及功率器件正向着大功率化、高频化、集成化方向发展的趋势凸显出了第三代半导体材料的重要性及广阔前景。而该领域基本由美日企业主导，我国相对薄弱，研发仍主要集中于军工领域。
根据Yole测算，GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年约20亿美元，年均复合增速达21%；主要受益于电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子等应用推动。据拓璞产业研究院援引工信部数据，截至2017年12月底中国4G宏基站数量为328万座。中国5G宏基站数量有望达到500万座，为4G基站数量的1.5倍。宏基站建设将会拉动基站端GaN射频器件的需求量，考虑到5G基站的建设周期，拓璞产业研究院预计到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰，达到112.6亿元。
小米公司宣布使用GaN快充，GaN功率器件有望在笔记本电脑、手机快充加速普及。华为、苹果、三星、OPPO、康佳等在GaN技术上有较多积累

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