云南锗业华为海思光芯片核心材料磷化铟晶片配套项目落地。

既8月初云南锗业子公司鑫耀半导体 通过华为海思现场验证，拟为华为海思配套建设一条6英寸砷化镓晶片、一天4英寸磷化铟晶片生产线后，今晚终于传来好消息，云南锗业在原年产5万片2英寸磷化铟晶片生产线基础上，正式启动扩建年产15万片配套华为海思4英寸磷化铟晶片生产线。

磷化铟（InP），是第二代化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在两大应用领域拥有关键优势：（1）光子领域：波长为1000nm以上的发射和探测能力；（2）射频领域：高频RF应用中的高速和低噪声性能。
在未来的大数据时代，数据通信市场的信息量又将出现一次井喷，来自5G、互联网 、人工智能 ，以及大数据中心的海量数据 ，对数据传输提出了更高的要求，而InP恰好是电信和数据通信应用中的收发器激光二极管不可或缺的构建模块，因此业内外都看好InP未来的增长潜力。
以目前最大的应用市场——光通信领域为例，磷化铟晶圆是整个链条最前段。磷化铟晶圆生产出来后，在此基础上涂材料实现“外延”后提供给了芯片商，然后在制造商手中成为光器件，在设备商手上被研制成为光系统，最后运用于中国移动 、联通、电信、华为等企业的大数据中心。
华为海思早在2013年就在武汉建立了一条磷化铟中试线。
在今年10月更是斥18亿巨资在武汉建立二期海思光工厂。

10月10日，武汉市国土资源和规划局对华为技术有限公司武汉研发生产项目（二期）A地块的海思光工厂项目规划设计方案调整进行批前公示。
公示文件显示，该项目原有1栋厂房，调整后为7栋建筑物，分别为：软件工厂、生产厂房1、动力站、仓库1、仓库2、仓库3、氢气供应站。建筑占地面积增加，由5905.53㎡整为42682.19㎡；建筑面积增加，由11836.59㎡调整为179731.72㎡。该项目总投资约18亿元。
这一切都说明华为海思将在磷化铟上大展拳脚，而上游磷化铟晶片供应商也正是大举扩产配套华为的云南锗业。