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科技不如(。・∀・)ノ゙嗨大麻

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美的携手三安集成电路打造联合实验室 国产芯片加速导入白家电行业

讯石光通讯网 发布时间:2019/3/27 10:57:59 编者:iccsz
摘要:国内家电行业领军企业美的集团宣布,公司与三安光电旗下厦门市三安集成电路有限公司战略合作,共同成立第三代半导体联合实验室,并于2019年3月26日在广东佛山举行了揭牌仪式。未来联合实验室将通过研发第三代半导体功率器件导入白色家电,凝聚双方的科研力量共同推动第三代半导体功率器件的创新发展。
近日,国内家电行业领军企业美的集团(000333.SZ)宣布,公司与三安光电(600703.SH)旗下厦门市三安集成电路有限公司(下称“三安集成电路”)战略合作,共同成立第三代半导体联合实验室,并于2019年3月26日在广东佛山举行了揭牌仪式。未来联合实验室将通过研发第三代半导体功率器件导入白色家电,凝聚双方的科研力量共同推动第三代半导体功率器件的创新发展。
白色家电主要包括洗衣机、空调、电冰箱等。数据显示,2017-2018年是白家电销售大年,空调销量增速创2010年以来新高,洗衣机增速创2011年以来新高。目前,中国已经是全球较大的白色家电生产基地,约占全球白电产能的60-70%,其中空调约占全球80%的产能,冰箱和洗衣机约占50%。随着物联网、智能家电的概念越来越深入人心,加之国家倡导白电产品节能减排,提升能效,白家电产品将进入智能化时代,随之而来的带动白家电产业对传统的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率器件提出了新的要求,许多家电企业开始寻求更高性能的替代方案。
业内人士指出,IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业 ,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源 装备等领域应用极广。近年来,用碳化硅功率器件替代传统的IGBT方案,不断的在各个应用领域被提出,该方案旨在通过提升电源效率来减小家电体积,并且在提升效率方面能得到较好的提升。未来,随着碳化硅材料成本的不断下降,碳化硅二极管,以及碳化硅MOSFET,将全面替代目前广泛运用的IGBT方案。
美的集团作为国内家电行业的领军企业,无论从品牌、销量、市场地位一直占据家电行业前三名。据悉,美的集团此前一直在积极寻找第三代半导体在白家电领域替代方案的国内供应商,以及导入第三代半导体的新型应用场景,此次选择与三安集成电路通过成立联合实验室方式建立战略合作,主要看重三安集成电路在化合物半导体领域的优势。未来双方合作方向将聚焦在GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅) 半导体功率器件芯片与IPM(智能功率模块)的应用电路相关研发,并逐步导入白色家电领域。三安集成电路成立于2014年,是专业从事化合物半导体制造企业,拥有中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂,服务于全球各地的微电子及光电市场,是三安光电股份有限公司(SSE代码:600703)的全资子公司。该公司拥有尖端的III-V族化合物半导体制造设施,开发砷化镓、碳化硅、氮化镓外延片和衬底。凭借自身先进的工艺技术平台,三安集成电路致力于助力全球射频、毫米波、滤波器、电力电子、光学元器件及子系统业界发展壮大。

分析人士指出,微波射频、电力电子和光通讯是三安集成电路三大产业应用发展方向。此次美的集团与三安集成电路的战略合作,标志着三安集成电路在电力电子领域的工艺与技术已成熟,并被国内家电行业认可,未来公司的电力电子产品及工艺将广泛应用在家电产品中。双方通过战略合作和创新,将共同研发能够引领产业趋势并且更加环保的第三代半导体功率器件芯片及其系统应用需要的智能高集成模块等高新技术产品。联合实验室将充分发挥双方各自特长及科研能力来推动第三代半导体功率器件的创新发展,将成为双方合作的平台和新技术科研成果的中试基地和产业化基地。
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洪睿

19-03-28 09:53

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集成电路概念,三安不错。
分析人士指出,微波射频、电力电子和光通讯是三安集成电路三大产业应用发展方向。此次美的集团与三安集成电路的战略合作,标志着三安集成电路在电力电子领域的工艺与技术已成熟,并被国内家电行业认可,未来公司的电力电子产品及工艺将广泛应用在家电产品中。
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19-03-27 14:38

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新能源汽车、5G手机 第三代半导体的“春天”


电动汽车从固话通讯和燃油汽车,到5G智能手机和新能源汽车,电力电子产品已经成为了我们生活的一部分,而这一过程的转变都离不开宽禁带半导体——第三代半导体。
第三代半导体具备着高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。目前发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN。

根据IHS IMS Research的报告显示,在未来十年,受到电源,太阳光电(PV)逆变器以及工业马达的需求驱动,新兴的SiC和GaN功率半导体市场将以18%的速度稳步成长,预计在2022年以前,SiC和GaN功率元件的全球销售额将从2012年的1.43亿美元大幅增加到28亿美元。
由于电动汽车和自动驾驶是驱动汽车市场向前发展的两大驱动因素。在汽车当中有三大应用是与电源相关的,即充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。在这三大用途中,牵引逆变器是目前为止可以从GaN和SiC技术中受益最多的。因为使用GaN和SiC器件后,可以减轻汽车的重量,提高能效,让电动汽车能够行驶更远距离,同时可以使用更小的电池和冷却系统。
新能源电动汽车在近几年发展的推动下,SiC功率器件的需求是一路猛增。据Yole统计,2017年SiC功率器件业务达到3.02亿美元,较2016年的2.48亿美元增长22%。采用了SiC MOSFET模块的特斯拉Model 3实现了产能增长,Yole估计,到2023年,SiC功率半导体市场将达到15亿美元。

安森美半导体Technical Fellow,SiC开发领域负责人Thomas Neyer表示,“今天的SiC市场已经是3.5亿美元的市场,预计未来五年内会增长到13亿美元。”
除了对新能源电动汽车的关注外,智能手机也是人们重点关注的对象之一,其使用效率、性能、尺寸等问题都亟需不断的完善。
在智能手机内置元器件尺寸方面,国内企业宁波中芯集成电路与苏州宜确半导体就联合宣布实现了砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成,这是目前业界中最紧凑的射频前端器件,主要是面向4G和5G智能手机市场,满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。
在5G时代里,第三代半导体的需求量是不断上升的,因为届时一部智能手机不仅需要机身轻薄,还可能需要16颗PA(功率放大器)芯片,再加上需要更多的基站、大规模天线(Massive MIMO)、滤波器等。
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