重磅！！！有研新材600206 国产芯片 多款产品与5G相关+稀土+国企改革+新材料

公司世界第二、国内第一成为全球最大芯片企业台积电靶材供应商

砷化镓  砷化镓属闪锌矿型晶格结构的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，晶格常数5.6510-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏，600℃以下能在空气中不被非氧化性酸侵蚀，其电子迁移率比硅大5～6倍，是电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,是用于制作集成电路衬底、红外探测器、光子探测器等的最佳材料。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、高效、较高功率、低噪、低温性能好、较高的崩溃压、抗辐射能力强等特点，是高频、高速、宽带通讯领域终端功率模块、转移器件体效应器件的最好选择之一，被广泛应用于移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等领域高频高功率发射、高频发光和高频切换（开关）场合。有研新材募集资金投资建设世界最大、国内唯一水平砷化镓（GaAs）单晶生产线；三安光电投资在福建泉州建立砷化镓半导体产业基地；海特高新控股海威华芯建设6寸砷化镓芯片生产线；云南锗业控股子公司云南鑫耀“砷化镓单晶材料产业化项目”2018年投产；乾照光电柔性薄膜砷化镓太阳电池转换效率更高；南大光电02专项35万吨磷烷和15万吨砷烷高纯气体（砷化镓等化合物合成原料）项目投产在即。在氮化镓尚在应用开发中、成本巨大的现在，标志着中国在抢占世界混合半导体材料技术研发及其应用-砷化镓芯片制高点具备了大规模商用的能力。

公司高纯/超高纯金属、合金、靶材、稀土、光电子、新能源、节能环保等新材料属有色金属的中高端产品，在行业特别是国内行业处于领导者地位。公司产品具有多品种、小批量、高水平的特点，微电子、光电子、新能源、节能环保、生命健康等用户尤其是国内用户的技术升级、进口替代将给公司产品带来新机遇。当然硅片、靶材以及5G用的化合材料也是如此，虽然产品处于中高端段，然而与引进技术进行专门生产的厂商相比，在产能方面无法与之匹敌，但在高端用户的高端产品中的应用是独导的，特别是自主技术的中高端产品更不会受到海外政治、经济、社会等不利因素的影响。

公司还有参股高新技术企业-叠加科创板概念。

2018年，有研新材承担科技部的11项国家重点科研项目中，4个重大专项的8个课题包括超高纯稀有、稀贵金属、稀土金属及其靶材、稀土发光材料、稀土催化材料以及稀土金属国际标准、稀有金属先进技术标准研究。其中牵头的“重点基础材料技术提升与产业化”专项“大规格稀有/稀贵金属靶材制造技术”课题、“战略性先进电子材料”专项“微纳电子制造用超高纯稀土金属及靶材”课题以及“战略性先进电子材料”专项“第三代半导体核心配套材料”课题，是针对我国高端半导体新兴产业快速发展对国产高品质、大规格稀有稀贵金属溅射靶材以及第三代半导体核心配套材料的迫切需求，将在突破稀有稀贵金属靶材“大规格、高纯化、细晶化、均质化、高精度、高可靠”等制备过程中关键技术填补我国技术和产品空白，为新一代集成电路提供核心关键材料、为第三代半导体产业所需核心配套材料的发展提供技术支撑，摆脱国家安全战略领域对国外产品的依赖基础上，推动公司走在国家科技发展的战略前沿及其产业快速发展奠定坚实基础。
　　2018年上半年，公司8吋靶材产品已完全实现批量供货，12吋靶材各款产品均已实现关键技术突破并在中芯国际、武汉新芯、上海华力、厦门联芯等客户销售，12吋阳极产品陆续取得批量订单。其中具有国际先进水平的12吋超高纯铜靶材获得哈尔滨“第五届中国国际新材料产业博览会”金奖。在昌平8-12吋靶材基地项目、燕郊稀土新基地项目2018年底投产的同时，2019年1月立项的山东有研新材料创新及成果转化基地项目，将共建超高纯稀有金属及化合物、稀土功能材料、高端晶体材料及器件等  7  条生产线，将有助于解决有研新材目前面临的发展问题，扩大产能，建立  规模优势，拓展发展空间，提升有研新材核心竞争力，为有研新材持续健康发展  奠定良好基础。

公司承担的4个国家重大科技专项钟最重要的是：突破稀有稀贵金属靶材“大规格、高纯化、细晶化、均质化、高精度、高可靠”等制备关键技术，填补我国稀有稀贵金属靶材“大规格、高纯化、细晶化、均质化、高精度、高可靠”等制备关键技术和产品的空白；为新一代集成电路提供核心关键超高纯金属、靶材材料；为第三代半导体产业所需核心配套材料（碳化硅、氮化镓）的发展提供技术支撑。

公司还有这样的超摩尔时代集成电路新制程关键且用量最大的钴靶材，并成为全球最大集成电路生产商的供货商。

颇具潜力的射频、高速数字电路材料
　　砷化镓、氮化镓MMIC芯片作为手机生产的重要器件，20世纪90年代中期就已取代了射频、微波领域里低性能硅基集成电路而成为无线通讯产业不可或缺的IC元件。因其工艺制造比硅器件困难大，以前国内尚无一家成熟的生产厂家，所需的射频功率芯片（GaAs  MMIC  、GaN  MMIC）主要依赖进口，这对我国半导体产业和通讯产业特别是即将推广应用的5G技术发展构成了重大屏障。在国家政策和资金大力支持下，经过多年的技术积累和发展，从材料砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）到芯片GaAs  MMIC  、GaN  MMIC  实现重大突破基础上，2018年北京双仪投资10亿元在北京建设月产2万片6吋砷化镓单片集成电路（GaAs  MMIC）规模化量产生产线，海特高新投资14.2亿元建设6吋年产4万片GaAs  MMIC、3万片GaN  MMIC生产线，并都将在2019年初投产，以满足国内5G等市场对砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片的迫切需求，扭转我国依赖进口的不利局面。
　　砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）作为时下新兴的半导体工艺技术，尤其在高频率、高功率、高温度环境下实现的电源转换效率、功率密度、宽带稳定性等性能飞跃，成为光学存储、激光打印、高亮度LED  和无线通讯特别是无线网络5G基站（移动通信、无线网络、点到点和点到多点通信）、手机、军工领域无可比拟的重要而关键器件。作为光电子、宽禁带半导体材料中耀眼的新星，GaAs  在5G通讯、物联网、OLED、太阳能电池等技术中的应用代表了当前和未来发展方向之一，作为有潜力的光电子材料，不但从生产到应用已经很成熟，而且稳定性和不错的性价比以及深加工后产品价值具有10倍的放大系数，未来市场也将保持9%的年均增速；GaN应用还有待开发、但却可以在更高频率、更高功率、更高温度下工作，在光学存储、激光打印、高亮度LED  以及无线基站等领域的应用前景受到关注，在高亮度LED、蓝光激光器和功率半导体领域是颇受欢迎的材料。
　　有研新材全资子公司有研光电作为国内红外材料龙头企业，拥有世界最大、国内唯一的砷化镓（GaAs）单晶生产线和我国先进半导体材料、红外光学材料主要研发生产基地，是全球红外LED衬底片最大供应商。主要产品锗单晶、砷化镓单晶、四氯化锗等新型光电材料，其中作为高频率、高功率、低噪声射频核心芯片材料，砷化镓-GaAs单晶在移动、光、雷达、卫星、电力等领域的应用2016年全球应用占比达79%。在军民融合、安防、智能传感及即将商用的5G产业发展的新机遇下，以射频核心材料GaAs为代表的芯片光电材料市场将迎来快速增长期。砷化镓具有的巨大需求，将成为公司另一个颇具有潜力的产品。

中国三代半导体材料发展雄心
　　中国大陆在5G、新能源汽车、智能化等电子产品蓬勃发展的市场优势推动下，积极摆脱一、二代半导体跟跑窘境，在国外对华实行禁运的情况下，有换道超车三代半导体产业之雄心。2018下半年有超8个三代半导体项目落实（北大、清华、中科院等14个单位联合成立氮化物半导体材料研究计划，重庆捷舜科技50亿GaN设厂计划、中科院20亿SiC一体化项目、山东天岳晶体30亿SiC材料厂等），另外三安光电6吋SiC晶圆制程2018年底已完成商业版，北京双仪2万片6吋GaAs  MMIC、海特高新6英吋4万片GaAs  MMIC/3万片GaAs  MMIC  都在2019年一季度试产，耐威科技8吋GaN-on-Si外延晶圆2019年二季度量产。

未来最具发展潜力的智能新材料--稀土超磁致伸缩材料
　　稀土产业的下游主要是稀土永磁材料，继稀土永磁材料之后最具反之潜力的智能新材料当是稀土超磁致伸缩材料。稀土超磁致伸缩材料作为目前研究、开发和应用较快的功能材料，因其具有伸长或压缩的性能，在低磁场驱动下产生的应变值是传统磁致伸缩材料压电陶瓷的5～8倍，是镍基材料的40～50  倍，同时因能量密度、可靠性和居里温度高和环保优势，尤其是所具有的电磁能与机械能或声能转换的卓越性能而被广泛应用于水下舰艇移动通讯、探/  检测、声音模拟、航空飞行器、地面运载工具和武器的国防军工与航空航天领域，微位移驱动器、机器人、超精密机械加工、精密仪器、光盘驱动器等电子领域，海流分布、水下地貌、地震预报的勘测装置、发射及接收的低频声纳系统等海洋科学与工程领域，以及医疗、石油、机械、纺织、农业等其他领域，且已进入一个稳定的需求增长期，因此被评为未来最具发展潜力的新材料之一。作为21世纪军工与高新技术的重要战略材料，稀土超磁致伸缩材料年均增长率将在20%以上。
　　中重稀土镝、铽作为稀土超磁致伸缩材料的主要成分（占该合金材料成份的一半），随着稀土超磁致伸缩材料市场的不断扩大，未来稀土镝、铽价格上涨的潜力和投资价值将随着时间的推移日益突显。尤其是铽元素，不但含量奇少（在磷钇矿中最高含量也才1.2%，在易开采的离子型稀土矿中含量最高才1.13%），且主要应用于高技术领域的技术密集、知识密集型的尖端、经济效益显著的项目（燃料喷射系统、液体阀门控制、微定位、机械致动以及太空望远镜、机翼调节等），有着诱人的发展前景。