重磅！！！有研新材600206 国产芯片 多款产品与5G相关+稀土+国企改革+新材料

国企改革-百分之六的毛利率彰显有研新材巨大的反贪腐或管理挖潜空间！
在国家不遗余力地推动国企改革和国民混改的背景下，作为北京有研总院唯一上市平台的有研新材，自称在光电磁材料方面技术居国内领先地位，但长期以来公司主业毛利率却可怜得只有几个百分点，远低于没有央企强大背景和垄断优势的弱势民企，也远低于同为国家科研院所旗下从事新材料生产的上市公司，如北矿总院旗下的北矿科技（毛利率28%）和钢研总院旗下的钢研高纳（27%）等等。我认为造成有研新材这种极不正常的超低毛利率的原因，要么是公司长期存在严重的贪腐问题，要么是公司管理层的管理水平极度低下，只要进行一次彻底的反腐肃贪或改革挖潜，就可以使公司脱胎换骨否极泰来面貌一新。

稀土概念-2018年12月中国稀土出口量5421.4吨、同比增长5.1%,出口额44.6百万美元、同比增长15.8%，出口均价8.2美元/千克、同比增长10.2%。我国稀土出口价格在上涨。

2019年1月24日，华为在北京发布全球首款5G基站核心芯片——华为“天罡”。该芯片在集成度、算力、频谱带宽等方面取得了突破：在支持大规模集成有源PA（功放）和无源阵子基础上，搭载最新的算法及Beamforming（波束赋形），实现2.5倍运算能力，极宽频谱可支持200M运营商频谱带宽，单芯片可控制高达业界最高64路通道；在极低的天面尺寸规格下，实现基站尺寸缩小超50%、重量减轻23%、功耗节省21%，安装时间比标准4G基站节省一半。有效解决了站点获取难、成本高等挑战，一步到位满足未来网络的部署需求。截至2018年12月31日，已出货超过25000个5G基站。

公司有研光电子公司作为国内红外材料龙头企业，拥有世界最大、国内唯一砷化镓（GaAs）单晶生产企业，全球红外LED衬底片最大供应商，我国先进半导体材料、红外光学材料主要研发生产基地。研制出金属锗、锗单晶、GaAs单晶、GaP单晶、锗玻璃、CVD  ZnS、CVD  ZnSe等新型光电材料，掌握光学镜头设计、加工、装配工艺，砷化镓单晶切磨片实现产业化。主要产品锗单晶、砷化镓单晶、气相沉积硫化锌和硒化锌、四氯化锗等新型光电材料，其中国内最大规模的红外锗单晶生产线产能10吨，世界最大、国内唯一GaAs单晶生产线产能60万片，国内唯一光纤级四氯化锗生产线产能40吨，国内唯一的CVD  ZnS、ZnSe生产线产能10吨。尤其是作为高频率、高功率、低噪声射频核心芯片的砷化镓-GaAs单晶在移动、光、雷达、卫星、电力等领域地应用，2016年全球应用占比达79%，在5G技术的即将商用中有望带动砷化镓半导体进一步放量，产品发展潜力广阔。

中国三代半导体材料发展雄心
　　中国大陆在5G、新能源汽车、智能化等电子产品蓬勃发展的市场优势推动下，积极摆脱一、二代半导体跟跑窘境，在国外对华实行禁运的情况下，有换道超车三代半导体产业之雄心。2018下半年有超8个三代半导体项目落实（北大、清华、中科院等14个单位联合成立氮化物半导体材料研究计划，重庆捷舜科技50亿GaN设厂计划、中科院20亿SiC一体化项目、山东天岳晶体30亿SiC材料厂等），另外三安光电6吋SiC晶圆制程2018年底已完成商业版，北京双仪2万片6吋GaAs  MMIC、海特高新6英吋4万片GaAs  MMIC/3万片GaAs  MMIC  都在2019年一季度试产，耐威科技8吋GaN-on-Si外延晶圆2019年二季度量产。

600206 有研新材潜力项目：2019年将全面建成投产的燕郊稀土材料新产业基地和8-12吋芯片靶材基地两个热门、需求旺盛的产业化项目，已投产的产能10吨国内最大规模红外锗单晶生产线、产能60万片的世界最大国内唯一GaAs单晶材料生产线，已投产的达国内行业领先、国际先进水平的高纯四氯化锗和四氯化硅材料3条生产线。在国内芯片需求旺盛、芯片核心基础材料特别是芯片高端材料国产替代迫切的当前与未来确有很大潜力。

我国芯片靶材难得的历史机遇
　　根据行业报告显示，2018年我国通讯设备同比增长13.8%、利润增长11.8%（出口增长12.6%），计算机同比增长9.5%（出口增长9.4%），电子元器件增长13.2%（出口增长14.5%），电子元件及专用材料增长10.9%（利润增长20.6%），集成电路产量增长9.7%。海关总署报告显示，2018年我国集成电路出口2171亿块同比增长6.2%，出口额846.4亿美元增长26.6%，进口集成电路4175.7亿块同比增长10.8%、进口额20584.1亿元（合3120.6亿美元）增长19.8%，集成电路仍是我国单一最大进口商品。我国集成电路贸易逆差达2274.2亿美元，同比增长17.47%，集成电路生产远落后于市场需求，国产集成电路发展空间巨大，尤其是高端集成电路仍存在较大差距。据SEMI报告，作为制造集成电路（芯片）的核心基础材料，且资本、技术高度密集的硅晶圆2018年全球出货总面积12,732百万平方吋、同比增加8%，这是近5年来半导体硅晶圆出货量持续增长所达到的新高。2018年全球硅晶圆市场需求强劲，价格飙涨至仅次于2007年时的次高位，行业营收113.8亿美元同比增长31%，创近10年新高。
　　在电脑、通讯、智能控制、消费性电子等传统需求不断增长及其功率半导体、车用、电源相关芯片等新兴技术发展需求带动下，全球8吋半导体硅晶圆供需将依旧吃紧，2019年价格还将维持个位数的上扬态势；12吋硅晶圆供需矛盾2018年4季度开始有所缓解，但除台积电2019年将重新议价外，日本信越将维持价格上扬走势，全球第3大晶圆厂环球晶圆2019年上半年合约价仍高于2018年下半年价格，其他晶圆厂将维持不变价格或小幅上扬态势。我国4～6吋晶圆基本平衡；8吋（金瑞泓、有研新材、电科46所、中辰、普兴、国盛、新傲等）2017年每月产能23.3万片、需求70万片/月，预计2020年每月需求将达到96.5万片，存在较大供需缺口；12吋2017年月需求42万片均为进口，2018年中环股份2万片/月、有研新材1万片/月产能相继投产，投资合计每月产能145万片的项目有：新昇30万片（计划2020年建成投产）、金瑞泓10万片（2019年）、中环领先15万片（2019年）、京东方30万片（2020年）、宁夏银和10万片（2020年）、郑州合晶20万片（2019年）、超硅30万片（2019年）。
　　工信部董大健认为，全球5G产业正在加快发展，5G网络设备已初步成熟，2019上半年我国将推出5G终端芯片，2019年中期推出智能手机终端。我国今年在加大包括5G、北斗在内的信息基础设施建设中，北斗的行业信息化和马上的社会化应用以及服务全球的设施将需求大量行业芯片，尤其是马上进行的大规模5G组网和推进的5G正式商用，必将给上游芯片特别是国产芯片发展带来巨大机会，同时也将给芯片核心基础材料提供跨越式发展机遇。研究机构初步测算，我国北斗应用和5G商用前五年可直接带动经济总产出超过10万亿元，经济增长值将超过3万亿元。作为拥有2019年将全面建成投产的燕郊稀土材料新产业基地和8-12吋芯片靶材基地两个产业化项目、已投产的10吨国内最大规模红外锗单晶生产线和60万片世界最大GaAs单晶材料生产线以及达国际先进水平的高纯四氯化锗硅材料生产线的有研，迫切的高端、热门芯片材料国产化替代必将推动公司业务迈上新的高度。

未来无可限量的鈷靶材料
　　根据全球最大芯片制造商、芯片制程技术发展最快的台积电2018年7纳米制程芯片量产、2019年5纳米制程芯片开始试产进度，芯片制程技术发展将很快到达摩尔定律终点（理论值1纳米）制程，也即现在芯片技术发展已经到了需要寻求新的突破阶段。
　　作为引领全球芯片技术发展的半导体设备技术霸主，应用材料2017年已制定出以鈷靶取代摩尔定律期间沿用的铜靶作为芯片导线材料的芯片设备技术方案，以继续引领半导体芯片超摩尔定律时代的技术发展进程。因此，鈷靶将是即将进入的超摩尔定律时代芯片新进程主用材料，也是未来芯片制造用量最大的核心基础靶材。
　　有研亿金研发完成的Al、Ti、Cu、Ni、W、Co、Ta、Mo、V、Ag、Au、Pt等各种高纯金属和Al、Cu、Ni、W合金、化合物材料等30多种涵盖电子信息行业全系列高纯金属靶材产品。其中鈷靶（Co）已于2017年通过台积电验证并实现批量供货，成为台积电全球第二家被纳用的供货商靶材。在靶材应用壁垒高企并即将进入芯片新进程时期，公司已经进入全球最大芯片制造商的鈷靶产品将迎来爆发式增长出货时期。

砷化镓是二代半导体材料，碳化硅氮化镓是三代的！！！

中国半导体市场巨大（占全球超60％），半导体材料国产化替代空间巨大（国产化率还不到1％）；汽车电源管理、5G基站发射用芯片材料碳化硅、氮化镓的市场较大，5G通讯终端（包括手机）、光纤和显示、国防红外影像用芯片材料申化镓的市场巨大；芯片材料中占比小的4―6吋硅片、靶材国产化基本实现，占比较大的8吋硅片、靶材国产化率有一定占比，占比达70％的12吋硅片、靶材技术取得突破、国产化率不到1％的替代市场空间巨大，在建的项目中2020年能实现12吋的国产化，有研作为自主研发的12吋产品虽然占比较小。具有自主知识产权稳当（相对其他引进技术）。