5G这次的发动被轻看了

信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展 专利之争全面开启

电信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展。根据市调机构Yole Développement调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3.8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。
目前国防仍是RF GaN的主要市场，因为其专业化的高性能需求和价格敏感度(Price Sensitivity)较低，因而为以GaN为基底的产品提供了许多机会。2017~2018年，国防部门占了RF GaN市场总量的35％以上，完全没有减少的趋势。Yole Développement资深技术与市场分析师Hong Lin表示，我们相信这个重要的GaN市场将持续与GaN的整体渗透力一起成长。
RF GaN已经被工业公司认可，并明显地成为主流。领先的参与者正快速地增加收入，这种趋势在未来的几年内将保持不变。从知识产权的角度来看，美国和日本主导着整个RF GaN知识产权系统。
Knowmade执行长兼联合创始人Nicolas Baron评论，科锐(Cree)毫无疑问地拥有最强的知识产权地位，尤其是以碳化矽(SiC)为基底的GaN高电子迁移率电晶体(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友电气工业虽是RF GaN设备的市场领导者，仍落后于Cree。此外，住友电气工业的专利活动放慢了脚步，然而富士通()、东芝()和三菱电机()等其他日本公司正在加快他们的专利申请，因此现在也拥有强大的专利组合。
Baron进一步说明， Cree也在RF GaN HEMT知识产权的竞赛中处于领先地位。针对Cree的RF GaN专利组合分析显示，它可以有效地限制该领域的专利活动并控制大部分关键国家其他企业的FTO(Freedom to Operate, FTO)。
另一方面，英特尔和全科科技目前也十分积极进行RF GaN专利申请，尤其是在GaN-on-Silicon技术方面，如今已成为RF GaN专利领域的主要知识产权挑战者。参与RF GaN市场的其他公司，如Qorvo、雷神、诺格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)，同样拥有一些关键专利，但未必拥有强大的知识产权地位。
Yole Développement指出，刚进入GaN HEMT专利领域的英特尔，目前是最活跃的专利申请人，且应该会在未来几年加强其知识产权地位，特别是对于GaN-on-Silicon技术。其余GaN RF HEMT相关专利领域的新进入者，主要包含中国企业海威华芯、三安光电和北京华进创维电子；而其他值得注意的新进入者包括台湾的台积电和联颖光电，韩国的Wavice和Gigalane，日本的爱德万测试，以及美国的全科科技和安森美半导体。
另外，中国电子科技集团和西安电子科技大学针对RF GaN在微波和毫米波的应用技术，领导了中国的专利领域。三年前进入知识产权领域的新兴代工厂海威华芯是当今中国知识产权的最强挑战者；然而，美国和日本公司依旧在RF GaN 知识产权领域中发挥关键作用。 

什么时候活跃资金能认可，涨停是唯一确认的标志，继续等

接二连三停止合作，美国围堵中国半导体的心不死
木棉·11:59·IC 来源:爱集微集微网消息，尽管中美贸易谈判正在进入最后阶段，但美国并没有表现出任何减轻中国在半导体领域面临压力的迹象。
上周，高通公司宣布将于4月30日关闭在中国成立的合资公司华芯通半导体公司。

路透社援引华芯通公司内部员工的曝料称，华芯通于4月18日召开了内部会议，高管宣布公司将在4月30日关闭，员工离职补偿方案也已经确定。
另有报道称，华芯通CEO汪凯博士此前已经悄然离职，其他员工也在陆续离开，或者寻找别的工作。
华芯通官网资料显示，2016年1月，中国贵州省和美国高通公司签署战略合作协议并成立合资企业华芯通，面向中国市场设计并销售国际水平的Arm服务器芯片。根据协议，合资企业首期注册资本18.5亿人民币（约2.8亿美元），其中贵州方面占股55%，美国高通公司方面占45%。
截至2018年8月，贵州省和高通共为华芯通投入了5.7亿美元，并建立了贵州、北京、上海三个基地。
许多专家表示，随着与高通的合作破裂，华芯通半导体的产品开发将被推迟或停止。“考虑到美国政府与中国的冲突，高通似乎决定结束合作。”一家半导体公司的高管表示。
美国半导体公司与中国的关系一直在恶化。
最近，总部位于加州的全球顶级芯片和显示设备制造商应用材料公司（Applied Materials）已停止为中国最大的LED芯片制造商厦门三安光电供货和提供服务。因三安光电4月10日被美国政府列入“未经核实名单”。应用材料公司为几乎所有世界领先的半导体设备和面板制造商供货。对英特尔、三星电子，台湾半导体制造公司，以及中国京东方科技集团股份有限公司等公司而言，如果没有应用材料公司的产品和服务，就无法生产产品。
此外，今年2月，由于担心相关技术转让会在美国惹出问题，英特尔终止了其与清华紫光集团子公司紫光展锐在分享最新5G调制解调器芯片成果方面的合作伙伴关系。早在去年2月22日，紫光展锐与英特尔达成了一项面向5G的长期合作协议，包含一系列基于英特尔XMM8000系列调制解调器，面向多元化市场、多条产品线的产品合作。基于双方的合作，展锐当时宣布计划于2019年下半年推出首款商用的5G手机平台。
随着最近几起在半导体行业，中美合作接二连三的破灭，也证明了美国围堵中国半导体的心不死，中国半导体的崛起还得看自身努力！

5g和芯片上位可不可以？

上证50歇一歇，5G中线发力，这矛盾吗？

2019春季环球资源移动电子展：8款氮化镓快充成为亮点GaN世界今天
一、氮化镓遇到USB PD快充
电子产品的屏幕越来越大，充电器的功率也随之增大，尤其是对于大功率的快充充电器，使用传统的功率器件无法改变充电器的现状。


而GaN技术可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件之一，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的变压器，让充电器可以有效缩小产品尺寸。比如导入USB PD快充参考设计，使目前常见的45W适配器设计可以采用30W或更小的外形设计。

来自产业链的调研数据显示，2019年，搭载USB Type-C接口的设备出货量预计将达到20亿台。其中USB Type-C在笔记本、台式电脑中的渗透率将达到80%，在智能手机和平板电脑等产品中的渗透率也将达到50%。未来，所有使用USB的设备皆有可能统一为Type-C。这一次，氮化镓遇上了USB PD普及，风口即将来临。

除此之外，5G的普及，也将催化出手机、平板电脑、笔记本电脑前所未有的应用需求，尤其是视频领域，对续航提出了新的挑战。在锂电池单位容量密度无法突破的大前提下，快充成为了数码设备电量补给的重要途径。氮化镓加持后的快充市场，加速推动轻薄化、小型化的充电器普及，成为了电源领域新的机会增长点。
二、氮化镓充电器成为展会亮点
2019春季环球资源移动电子展，4月18日开幕，持续到4月21日，展出四天。这是亚洲最大规模的消费类科技展会，与CES、IFA、Computex齐名，堪称全球四大顶级科技盛会。
此次展会开辟了全新快充、无线充产品展馆，汇聚数百个精品展位，展品覆盖广泛，包括USB PD充电器、无线充电器、USB-C线缆、Lightning线缆、便携储能电源、户外电源等。
与此同时，业内众多知名企业也将借助这一平台面向全球客户发布最新产品，带来了众多基于USB PD快充应用的氮化镓充电器。
1、ANKER安克
2019春季环球资源移动电子展，ANKER安克现场展示了旗下的30W GaN充电器，这款充电器目前已经在全球多个国家上市。作为ANKER安克家族明星产品，我们在众多知名展会上都有见到，吸引了不少粉丝前往展台体验。


这款氮化镓充电器名叫ANKER PowerPort Atom PD 1，它支持USB PD快充，最大输出达30W。它的体型小巧、重量轻盈，单从外观来看，完全不像是一枚具有30W功率输出的充电器。

ANKER安克这款30W充电器在20V输出达到了1.5A，并且向下兼容15V、 9V、5V，可以兼顾笔记本电脑、平板电脑、手机等数码设备。据悉，这是目前市面上首批30W基于GaN第三代新半导体开发的充电器。

2、AUKEY傲基
2019春季环球资源移动电子展AUKEY傲基展示了最新款USB PD GaN充电器，型号为PA-Y21，30W PD充电器外形比较方正，体型超薄，可以轻松揣进口袋。

AUKEY傲基在展馆内搭建了氮化镓充电器体验专区，从喷绘海报上可见，内置了GaNFast技术，通过场景化的图片，传递出产品的应用特色。

这款充电器最大功率为30W，支持5V/3A、9V/3A、12V/2.5A、15V/2A、20V/1.5A五档PD快充，折叠插脚设计，具备一个绿色舌片的USB-C输出接口，适合给手机、游戏机、平板电脑等充电。


此外，AUKEY傲基还展示了一款27W的氮化镓充电器，该充电器采用方形的外观设计，美规版本的插脚为可折叠，欧规版本的插脚为不可折叠，产品体积非常小巧。参数方面，这款充电器支持5V/3A、9V/3A、12V/2.25A、15V/1.8A、20V/1.35A，最大输出功率为27W。

3、KunX坤兴
KunX坤兴在2019春季环球资源移动电子展上发布了45W新款快充，内置了第三代半导体GaN氮化镓功率器件，采用USB-C口输出，支持USB PD快充。这款充电器还在APEC2019上展出过，备受行业关注。


输出方面，支持5V、9V、12V、15V、20V五档PDO，其中5-15V为3A，20V为2.25A。值得一提的是，坤兴45W GaN充电器的外壳跟传统30W的一样大，并没有因为功率增加，而外壳变大。


体积方面，我们通过与右侧传统的45W充电器对比，可见采用GaN新型功率器件后，开关频率提升，变压器缩小，整机体积带了大幅减小。据现场KunX坤兴工作人员透露，本月底将会小批量试产这款GaN充电器，大规模出货还需要等待一段时间。

4、UIBI柚比
UIBI柚比联合Royer仁越在此次2019春季环球资源移动电子展也带来了两款氮化镓充电器，功率分别是30W和45W。

UIBI柚比在现场搭建的氮化镓体验专区可见，其中45W为主打产品。这款新品采用GaNFast技术，支持USB-C接口和USB PD快充。


体积为超薄设计，型号为G45，输入为100-240V宽电压设计，兼容全球电网；输出为5V、9V、12V、15V、20V五组电压，其中20V输出为2.25V，45W。


另一款30W氮化镓充电器也同步展出，两款新品充电器均采用折叠插脚设计。UIBI柚比工作人员透露，两款新品将于5月正式登陆国内市场，届时将会丰富氮化镓充电器品类，为大家带来更为多样化的产品选择。

5、TOMMOX拓米士
此次展会上，TOMMOX拓米士推出一款超薄USB PD充电器，内置氮化镓。单USB-C口设计，45W输出，厚度仅常见45W充电器的1/2。


USB-C接口设计在了机身顶部，可垂直插入数据线，符合大多数用户使用惯。从侧面可见，合模线位于中间部分偏上位置，设计上做了视觉处理。硕大的logo非常醒目，折叠插脚做了隐藏设计，方便收纳。


这也是TOMMOX拓米士家族首款氮化镓充电器，型号为TX-P145-GaN，输入为100-240V，输出支持PD和QC双协议，其中USB PD最大功率为45W，兼容5V、9V、12V、15V、20V五档电压，满足大多数轻薄笔记本的充电需求。

6、Stiger斯泰克
Stiger斯泰克是一家业内知名的充电器生产企业，他们在2019春季环球资源移动电子展期间也带来了一款氮化镓充电器，并且在展示柜内展出内部电路板，供买家了解。


展柜内右下角黑色充电器为Stiger斯泰克45W GaN充电器和电路板。


从图片上可见Stiger斯泰克电路板和GaN Technology 45W/65W介绍标签，电路板为超薄设计，展示的为45W规格。对比橱窗内的其他充电器，氮化镓产品体积方面优势非常明显，这得益于内部电路布局做了很多改良，其中变压器部分的缩小最为明显，跟电容器的直径高度相当。

7、Power7tech泰克威
Power7tech泰克威在2019春季环球资源移动电子展期间发布了旗下首颗氮化镓充电器，对比传统的18W充电器可见，厚度薄了不少。


仰视图的角度看过去，左边是Power7tech泰克威45W氮化镓充电器，右侧是传统的18W USB PD充电器，功率提升了一倍以上，但是厚度降低了约二分之一。


单USB-C接口设计，位于顶部偏居中位置；底部为折叠插头，可收纳。设计师通过结构处理，兼顾了氮化镓充电器超薄体积，以及插脚收纳、安规要求。

8、Redot慧多科技
Redot慧多科技在2019春季环球资源移动电子展期间展示了旗下首款氮化镓充电器，从宣传图片上可以看到，该充电器采用扁平的外壳，产品整体厚度仅15.4mm（0.6inch），非常的轻薄。


据了解，这款氮化镓充电器采用单USB-C口设计，目前有欧规、美规两种版本，也可根据客户需求定制其他规格的插脚，目前展示的版本的插脚为不可折叠设计。


在参数方面，这款充电器支持100-240V范围的交流电压输入，USB-C口支持最大45W输出，并有5V、9V、12V、15V、20V五个完整的USB PD电压档位，可为手机、笔记本、游戏机等设备匹配最佳充电电压。

总结
氮化镓充电器有什么缺点呢？当前唯一缺点就是太贵了！
回顾前两代用于充电器的半导体演进发展过程，任何一代半导体技术从实验室走向市场，都面临商用化的挑战。目前氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。
而先进制程硅基氮化镓的商用化投产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及临近，也让我们在USB PD快充这个领域有幸见证这一刻的到来。

002023 股是好股，但资金不认可。随着5G的发酵，应该可以有所表现的。相对而言，这个也是比较正宗的。

@倚天剑法 哈哈哈哈，不猥琐，非海特，等到猴年马月再涨停打板吧

 中美贸易战  中兴通信  率先告捷！！！！


 

 

002023 这真5g还绿的，2547都4板了

GaN将在高功率,高频率射频市场优势明显


  0GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）已经成为5G宏基站功率放大器的主流候选技术。GaN HEMT凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为基站PA的有力候选技术。
GaN是极稳定的化合物，具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更强抗辐照能力，同时GaN又是高熔点材料，热传导率高，GaN功率器件通常采用热传导率更优的SiC做衬底，因此GaN功率器件具有较高的结温，能在高温环境下工作。
不同材料体系射频器件功率-频率工作区间
GaN将在高功率，高频率射频市场优势明显
相比于4G，5G的通信频段往高频波段迁移。目前我国4G网络通信频段以2.6GHz为主，2017年工信部发布了5G系统在3-5GHz频段（中频段）内的频率使用规划，后期会逐步增补6GHz以上的高频段作为容量覆盖。相较于基于Si的横向扩散金属氧化物半导体（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段和高效率等要求。
目前针对3G和LTE基站市场的功率放大器主要有Si LDMOS和GaAs两种，但LDMOS 功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少，仅在不超过约3.5GHz的频率范围内有效，而GaAs功率放大器虽然能满足高频通信的需求，但其输出功率比GaN器件逊色很多。然而，在移动终端领域GaN射频器件尚未开始规模应用，原因在于较高的生产成本和供电电压。GaN将在高功率，高频率射频市场发挥重要作用。
下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案，左侧展示的是锗化硅基MIMO天线，它有1024个元件，裸片面积是4096平方毫米，辐射功率是65dbm，与之形成鲜明对比的，是右侧氮化镓基MIMO天线，尽管价格较高，但功耗降低了40%，裸片面积减少94%。
资料来源：国金证券
根据Yole预测，2018年GaN射频器件市场规模达到4.57亿美元，未来5年复合增长率超过23%。在整个射频应用市场，GaN器件的市场份额将逐渐提高。长期来看，在宏基站和回传领域，凭借高频高功率的性能优势，GaN将逐渐取代LDMOS和GaAs从而占据主导位置；在射频能量领域，LDMOS凭借高功率低成本优势，有望占据主要市场份额；在其他对输出功率要求相对较低的领域，将形成GaAs和GaN共同主导的格局。
现阶段在整个射频市场，LDMOS、GaAs和GaN几乎三分天下，但未来LDMOS的市场份额会逐渐缩小，部分市场将被GaN所取代，而GaAs依赖日益增长的小基站带来的需求和较高的国防市场等需求，在2025年之前，其市场份额整体相对稳定。
未来5～10年内， GaN将逐步取代LDMOS，并逐渐成为3W 及以上RF功率应用的主流技术。而GaAs将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比，将确保其稳定的市场份额。LDMOS的市场份额则会逐步下降，预测期内将降至整体市场规模的15%左右。预测至2023年，GaNRF器件的市场营收预计将达到13亿美元，约占3W以上的RF 功率市场的45%。
2015-2025年射频功率市场不同技术路线的份额占比
资料来源：YOLE
境外GaN射频器件产业链重点公司及产品进展：
目前微波射频领域虽然备受关注，但是由于技术水平较高，专利壁垒过大，因此这个领域的公司相比较电力电子领域和光电子领域并不算很多，但多数都具有较强的科研实力和市场运作能力。
Qorvo、 CREE 、MACOM 73%的产品输出功率集中在10W～100W之间，最大功率达到1500W（工作频率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生产），采用的技术主要是GaN/SiC GaN路线。此外，部分企业提供GaN射频模组产品，目前有4家企业对外提供GaN射频放大器的销售，其中Qorvo产品工作频率范围最大，最大工作频率可达到31GHz。Skyworks产品工作频率较小，主要集中在0.05-1.218GHz之间。
大陆GaN射频器件产业链重点公司及产品进展：
欧美国家出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主创新，目前在GaN微波射频领域已取得显著成效，在军事国防领域和民用通信领域两个领域进行突破，打造了中电科13所、中电科55所、中兴通信、大唐移动等重点企业以及中国移动、中国联通等大客户。
苏州能讯推出了频率高达6GHz、工作电压48V、设计功率从10W-320W的射频功率晶体管。在移动通信方面，苏州能讯已经可以提供适合LTE、4G、5G等移动通信应用的高效率和高增益的射频功放管，工作频率涵盖1.8-3.8GHz，工作电压48V，设计功率从130W-390W，平均功率为16W-55W。