打破芯片垄断，海威华芯生产线“量产”。

海特高新 ：半导体的明珠---砷化镓、氮化镓芯片 海威华芯生产线即将量产二期正筹建

近期中兴通 信的遭遇说明，科技行业必须通过采用自主化零件，才能避免未来出现类似的变故，此事件也倒逼国产替代进程的加速。4月18日，芯片概念股持续强势，涨停个股进一步增加。紫光国芯、文一科技 等近20股涨停。自美国商务部发布对中兴通讯 出口权限禁令以来，A股芯片概念股获资金追捧，市场预计芯片国产替代或将提速。

（一）海威华芯砷化镓、氮化镓芯片生产线即将量产
在这些出现大幅上涨的个股中，一只低位的半导体概念新贵---海特高新即将起航，近期海特高新之公司----成都海威华芯发布了公司6吋第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线项目A-01、A-07、A-08、A-11、G-03工程施工中标公告。
对此海特高新在互动易平台表示：海威华芯总投资约20亿元左右，一期基建工作基本完成，目前正筹建二期工程项目，目前海威华芯一期产线处于工艺完善和良率提升试生产阶段，二期建成达产时间请您关注公司后续进展公告，请您秉承价值投资理念注意投资风险，谢谢关注。
同时海威华芯还大肆招聘GaAs工艺研发师、客户品质保证工程师、良率工程师等人才。而海威华芯是国内首家提供6英寸砷化镓 /氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工服务公司。因为打破了国际垄断、填补了国内空白，其“6英寸GaAs/GaN集成电路生产线”成为国家支持的重点产业化项目。
砷化镓、氮化镓芯片是半导体领域的明珠，具有高频率、高功率、高效率的特点，广泛应用于手机、移动通信基站 、能源转换 、物联网 以及国防 ，是典型的军转民技术。“这一个小小的氮化镓晶圆，其价值在上百万元。一旦量产，产值就会有一个大跨越。”海威华芯打破海外半导体代工垄断，项目产业化值得期待。
全球第二代/第三代半导体的市场空间近百亿美元，中国市场占据近半份额，制造环节95%依靠国外foundry 厂商。海威华芯建立了国内第一条6 英寸砷化镓 /氮化镓半导体晶圆生产线，2016 年9 月产出国内第一个GaAs 0.25um power pHEMT 工艺的芯片设计包PDK，根据公司年报披露，海威华芯的IPD 和PPA25 已经完成产品可靠性验证并处于提升产线良率阶段，民用产品已经与国内某知名厂商展开合作，军品市场面已与某所某多功能芯片项目完成技术协议细则。
根据公司公告，海威华芯规划总投资20.9亿元，2016年7月国家队国开基金1.52亿元增资海威华芯，为半导体产业护航。海威华芯二股东四威电子为中电科29 所旗下全资子公司，且海特高新已与29所签署了《战略合作意向书》，为公司军用订单奠定基础。
此外公司在2017年年报中表示，海威华芯技术研发团队的砷化镓制程研发方面IPD和PPA25产线试生产阶段良率达到预期水平，具备初步量产能力；HBT、光电已与国内多家客户达成合作并通过部分客户认证；氮化镓成功突破6英寸GaN晶圆键合技术；芯片产品开发方面，通用芯片、定制芯片、数字电路等开发设计超过120余款，包括滤波器、功分器、开关矩阵、耦合器等产品。
（二）化合物半导体是未来5G通信不可替代的核心技术
海威华芯主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片的研制，产品主要面向5G移动通信、雷达、新能源 、物联网等市场，打造专业的Foundry服务能力。2016年4月，海威华芯第一条6英吋第二代化合物半导体集成电路生产线贯通，该生产线同时具有砷化镓、氮化镓以及相关高端光电产品的生产能力。2016年5月海威华芯首次开发出砷化镓产品成为国内首家掌握第二代半导体生产工艺的企业。
化合物半导体相比硅半导体具有高频率、大功率等优异性能，是未来5G通信不可替代的核心技术，将在5G通信中大量使用。5G智能手机将大量使用GaAs射频器件。GaAs射频功率放大器具有比Si器件更高的工作频率。随着移动通信频率不断提高，Si器件已不能满足性能要求，4G智能手机中的功率放大器已全部采用GaAs技术。未来5G通信将包括6 GHz以上频段，性能优越的GaAs器件将不可替代。5G通信支持的通信频段将大幅增加至50个以上，远大于4G通信的频段数(不超过20个)。赛迪智库预计2020年GaAs器件市场将达到130亿美元。
5G通信基站亟需更高性能的GaN射频器件，为了应对2.4 GHz以上频段Si器件工作效率快速下降的问题，4G通信基站开始使用GaN功率放大器。目前约10%的基站采用GaN技术，占GaN射频器件市场的50%以上。未来5G通信频率最高可达85 GHz，是GaN发挥优势的频段，使得GaN成为5G核心技术。全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微基站，对GaN器件的需求量将大幅增加。
当前GaAs/GaN化合物半导体射频器件已在4G 通信、有源相控阵雷达 、卫星通信等领域得到应用。然而现有市场主要由日本、美国、欧洲的化合物半导体企业把控，并已建立市场和技术壁垒，形成产业链合作惯性。中国企业进入市场较晚，很难有足够的话语权。5G通信最快将在2020年实现商用，中国是全球最大的5G市场，并开始拥有全球5G通信发展的话语权。加之中国具有一定技术积累和产业基础，中国化合物半导体产业有望在5G通信市场实现突破。

（三）海威华芯打破海外半导体代工垄断产业化值得期待
砷化镓、氮化镓芯片是半导体领域的明珠，具有高频率、高功率、高效率的特点，广泛应用于手机、移动通信基站 、能源转换、物联网 以及国防 ，是典型的军转民技术。“这一个小小的氮化镓晶圆，其价值在上百万元。一旦量产，产值就会有一个大跨越。”海威华芯打破海外半导体代工垄断，项目产业化值得期待。
发达国家已完成化合物半导体的战略布局，由于化合物半导体具备优异的性能和广阔的应用前景，美国和欧洲早已布局，发布技术和产业扶持计划，并培育了一批龙头企业，已占领技术和市场的高地，为5G通信发展奠定了基础。美国国防部先进研究项目局(DARPA )从2002年起先后发布宽禁带化合物半导体技术创新计划(WBGSTI计划)和下一代GaN电子器件计划(NEXT计划)，帮助美国本土的Qorvo、Cree等化合物半导体企业迅速成长为行业龙头。
欧洲防务局(EDA)于2010年发布旨在保障欧洲区域内化合物半导体供应链 安全的MANGA计划，已完成预期目标。国际巨头占据化合物半导体射频器件市场主导地位。4G智能手机用的GaAs射频放大器市场中，美国Skyworks、Qorvo和Broadcom三家公司的市场占有率接近90%。GaN基站市场集中于日本住友电工、美国Cree和Qorvo三家企业手中。
国际对中国实行核心技术封锁，产业链面临制裁禁运风险。一是化合物半导体的军事用途使得美国频繁阻挠国内产业崛起。化合物半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信、军用卫星、激光武器等军事装备的核心组件，受到国际《瓦森纳安排》的出口管制。中国资本 试图收购国外优秀化合物半导体企业以快速获取人才和技术，却频频遭遇美国政府阻碍。
2015年以来，金沙江公司收购美国Lumileds、三安光电 收购美国GCS、福建宏芯基金收购德国Aixtron均被美国以危害国家安全 为由予以否决。二是国内5G通信整机企业面临制裁风险。国内化合物半导体产品尚不成熟，使得整机企业大量进口国外器件，供应链安全存在很大隐患。2016年3月，美国商务部以违反美国出口管制法规为由制裁中兴通讯，基于化合物半导体的功率放大器、光通信 芯片 等均在限制目录中。近期美国再度封杀中兴通信。