一、概要
目前世界排名第二的第三代半导体碳化硅晶片公司天科合达将在2023年4月份将申请上市，天富集团和天富能源作为一致行动人是天科合达的控股股东。天科合达22年底估值200亿左右、23年底上市发行估计估值1000亿左右、上市后市值将超2000亿。天富能源国改后将持有250多亿的股权，而目前只有70多亿市值，对应23年净利7亿对应10倍，24年净利9亿对应不到10倍的估值，股价严重低估，后市可能的上涨空间有300%之多。二、公司简介
1、公司基本情况
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为50600万元，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。
公司为全球SiC晶片的主要生产商之一，2021年世界排名第四，2022年世界排名第二。公司坚持现代企业管理制度，具备完整、规范的管理体系，已通过IATF19649:2016车规级质量管理体系认证。公司总部设在北京市大兴区，目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。公司拥有两处完整的集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；三家全资子公司分别位于辽宁沈阳市、新疆石河子市和江苏徐州市;一家控股子公司位于深圳市。
公司被认定为“国家级高新技术企业”、“
中关村 高新技术企业”、“北京科技研究开发机构”；先后承担国家科技部科技支撑计划、863计划、02重大专项等多个国家部委、北京市重点科技攻关项目和新疆建设兵团重大研究计划等项目数十项；荣获科技部授予的“十一五”国家科技计划执行优秀团队奖、省部级科技进步一等奖。公司先后申请专利60余项，已获授权专利40余项；参与起草并正式发布国家标准4项，行业标准1项，团体标准8项。我公司立足于自主研发，坚持产业创新，打破了国外企业的技术垄断。
公司在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一，2021年跃居世界前四，2022年世界排名第二。SiC作为第三代半导体基础材料，以天科合达为代表的国内技术和发达国家的技术差距正在不断缩小，完全有实力在半导体衬底行业实现换道超车。公司技术来源于中国科学院物理所多年在碳化硅领域的研究成果和十几年的自主研发及经验积累，在国内最早建立了完整的碳化硅晶片生产线，突破了缺陷抑制、快速生
长和 籽晶处理等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，将自主研发的关键新技术成功应用到新疆、北京和徐州生长基地，在国内实现碳化硅晶体的产业化，打破了国外长期的技术封锁和垄断，向国内60余家科研机构批量供应晶片（包括半绝缘、导电、沿c轴和偏角度等），推动了碳化硅外延、器件等相关的基础研究，带动20余家优质下游企业用户成功实现外延、器件和模块产业快速增长，我国内形成了完整的碳化
硅产业 链做出了突出贡献，推动了我国宽禁带半导体产业的发展。同时，晶片产品也大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，成功成为众多国际领先企业的优质供应商。自2009年以来，天科合达公司连续被国际著名半导体咨询机构YOLE公司列为全球碳化硅晶片主要制造商之一。
2、公司人员、技术及设备情况
天科合达的名字就是由天富能源600509和中科院物理所合作发达的喻意，2006年公司是中科院物理所技术入股和天富能源600509共同创立，后来天富集团接手股权。中科院物理所从1999年开始研究碳化硅，公司早期的技术主要依靠中科院，后期就是以公司培养的技术人员为主，技术团队成员大多数也是2010~2012年之间物理所陈老师的课题组全职加入进来的，目前公司研发一共100多人，关于成果归属的这个问题，公司与陈老师之间是有协议的，碳化硅单晶衬底的成果，不管是做到什么程度，知识产权都是归属于公司的。 国内导电型衬底排名是天科合达、13所和55所、东尼电子 、晶盛机电 、三安光电 、天岳先进 等。天科合达22年6月用物理气相传输法成功研发了8寸碳化硅，2022年底天科合达研究团队用新一代液相法技术成功研制4寸碳化硅，成为全球唯一一家同时掌握两种先进工艺技术的第三代半导体公司。 天科合达技术水平已达到国际先进，良率上目前与排名第一的Cree公司基本上差不多，在65%-75%之前，未来几年计划超越Cree公司；长度上Cree目前已经可以做到100mm， 公司在23年全线可以做到30~40mm之间，25年目标做到100mm。22年上半年成功研发了8寸衬底，量产已没有问题，23年会给SBD客户做一些批量。8寸线的设备和6寸线大部分是兼容的，仅换个热场，估计24年可以全面量产，预计23年底上市估值500亿左右募集资金40至50亿用于8寸MOS衬底及外延片量产，后面可能再控股一家SIC功率器件设计公司，募投达产后产能将超过Cree公司，天科合达将来有望成为世界第一。通过研发给客户提供更好的价格更低的产品，实现全面替代硅的IGBT。3、产能产量及市场情况 2022年产能约12~15万片，营收6亿左右，23年今年已签订单26万片，预计营收12至13亿，24年签订单60万片，收入29亿，25年签订单90万片，收入65亿左右，26年125万片，收入100亿。 22年销售收入增长是因为大兴新厂投产，23年大兴新厂全年贡献销售收入，24年深圳公司（天科重投）全年贡献销售收入，有望24年徐州2期能贡献一部分销售收入，25年大兴2期和徐州2期全年贡献销售收入，产品供不应求，产能利用率100%。目前交付量已经超越全球第二Ⅱ-Ⅵ公司，Ⅱ-Ⅵ公司2021年6寸导电产品交付量12-13万片，单大兴新厂产能规划6寸导电产品12-15万片（徐州等其它产能7万片）。 22年外延片已给国内用户送完样了，评估期6个月，自测指标完全符合客户要求，中试基地在徐州，然后未来产业化基地在深圳（天科重投），23年6月份外延设备可以投产量产，一期40台，规划的外延炉是100台，预计25年公司产品会从碳化硅衬底全面转型成碳化硅外延片，2025年外延加衬底不含税价格在600美金左右，独占碳化硅产业75%利润，全面替代硅的IGBT成为市场趋势，在新能汽车、光伏、储能、电网设备和轨道交通等行业得到全面应用。 天科合达衬底22年主要应用在车载OBC和DCDC、光伏逆变器等，一个6寸衬底大概做460个器件，根据Cree报表成品率75%左右，国内做的比较好的可以超过80%。目前国内器件在向车规级的主驱逆变的导入过程，天科合达客户大部分都处于送样的过程，预计23年下半年是爆发点，直接采购客户比亚迪 一直在引领碳化硅往车规级发展，其他客户都是通过器械厂商采购，主驱逆变正处于验证阶段，目前来看3-5年之内将是最大市场，按衬底的销售比例将会占碳化硅衬底的90%，目前主驱逆变方向天科合达已经和海外功率器件厂商达成合作，但是国内厂商数量大于国外。 天科合达的衬底在台湾汉磊科技已经完成了对科锐的替代了，它的器件是可以生产MOS的。从代工线的认知来讲，天科合达基本具备在工业场景（光伏、储能、充电桩、车规的OBC、DCDC或热泵空调）上具备对科锐的替代，无非是良率低一些，成本高一些。在汽车的主逆变器上，天科合达直接采购客户比亚迪正在验证主驱动逆变器，估计23年6月前会通过。 另外公司产品参与国家电网主导成功研制6.5kv/400A碳化硅MOSFET模块，用于35KV全Sic电力电子变压器，在雄安建设了柔性变电站，未来也是千亿级市场。三、公司资质
过IATF 16949：2016 质量管理体系认证通过ISO 9001：2015 质量管理体系 认证通过ISO 14001：2015 环境管理体系认证通过ISO 45001: 2018 职业健康安全管理体系认证国家高新技术企业、中关村高新技术企业国家工信部
专精特新“小巨人”企业全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会 会员单位北京市专精特新中小企业中关村国家自主创新示范区标准化试点示范单位北京市级企业科技研究开发机构中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 理事长单位北京市专利试点单位中关村地区“劳动用工规范一条街”工程先进单位北京中关村企业信用促进会会员单位。
四、股权结构
上表为22年底最新股权结构表，天富集团为天富能源600509控股股东，天富集团、天富能源和中国科学院物理研究所可能为一致行动人，共同控股天科合达。
五、主要客户
天科合达已向国内80多家单位批量供应碳化硅晶片，大量出口台湾、欧美和日本等20多个国家和地区，其中华为是首要大客户、中电科集团、中芯国际 、国家电网、中国中车 、比亚迪、小米汽车，国际客户有英飞凌、Onsemi、博世、、Win等。六、产品服务
1、2寸、4寸、6寸、8寸SiC晶片
2、SiC晶体
3、莫桑钻（1）原石；（2）裸钻；（3）饰品
4、SiC单晶生长炉自主研发设计的SiC单晶生长设备，可用于6到8寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。
5、切磨抛代加工通过选取合适的磨料以及采用适当的加工设备和加工工艺，对碳化硅晶片以及晶片进行切割、研磨、抛光和CMP加工。
6、清洗、返抛我司开发出碳化硅晶片表面处理、清洗、封装等工艺技术，使产品达到开盒即用。
7、6寸、8寸外延晶片制作
七、产品检测
1、表面粗糙度检测图表面粗糙度：Rq=0.0716nm
2、X射线摇摆曲线平均半峰宽：Ave. FWHM=30.9arcsec表征设备：帕纳科X射线衍射仪，X’PERT Pro
3、电阻率分布图谱平均电阻率为：0.02031Ω.cm测试点位：55点
4、平整度检测Warp=22.71μm表征设备：Tropel FM100
八、对外投资
九、天富能源600509投资机会分析 天富能源600509是天科合达的控股股东，天科合达是国际领先并垄断囯内市场的导电碳化硅晶片生产商，2022年公司在国内市占率超90％是绝对龙头，22年12月底天科合达估值200亿完成增资5.5％融资10亿左右，将于23年5-6月份申报上市，预计23年年底发行估值1000亿左右，上市募投达产后8寸导电碳化硅衬底及外延片产能世界排名第一，超过Cree公司，上市后估值超2千亿市值。 天科合达有超级牛的股东，中科物研所、宁徳时代、国家基金、华为哈勃、高瓴资本、比亚迪都是他的股东。 天科合达22年产13万片收入6亿左右，23年己签订单26万片，收入12-13亿，24年订单收入29亿，25年订单收入65多亿，26年收入100亿。25年开始公司产品会从碳化硅衬底全面转型成碳化硅外延片。 天富能源600509在22年7月份发改委调整电价后，每年可以增加12亿多收入，另外23年开始每年增加1亿多居民用电补贴，预计自身业务净利为23年7亿、24年9亿。按24年10倍市盈率保守估值90亿，保底合理估值对应7.8元，天科合达上市预期增加100-200亿估值，目标价看涨16元以上。 结论：碳化硅产业大资金重点关注天科合达公司1到100的成长机会，二级市场上可以考虑其控股股东600509天富能源的低估投资机会。 $天富能源(sh600509)$
zcytzx
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