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近些年来，反复被“划入重点”的科技创新，已成为国际科技战略博弈的主战场。其中，半导体领域的技术突破，则是国际科技战略必争高地。在此大背景下，被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓，走入人们的视野，有望逐步成为半导体赛道新风口。
日前，国内西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。其实，我国对氧化镓行业的研发从未停歇。

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