我国第四代半导体研究取得系列进展，这家公司产品可作为其生产原材料

一、氧化镓导通特性几乎是碳化硅的10倍

氧化镓(Ga203) 是继碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN)之后的新型宽禁带半导体材料，制备成本低，具有独特的物理.特性优势，它拥有着超宽带隙(4.2~4.9eV) 、超高临界击穿场强(8MV/cm)、 较短的吸收截止边及超强的透明导电性等优异的物理性能。氧化镓器件的导通特性几乎是于碳化硅(SiC)的10倍，理论击穿场强是碳化硅的3倍多。不止如此，它的化学和热稳定性也较为良好，同时能以比碳化硅和氮化镓更低的成本获得大尺寸、高质量、可掺杂的块状单晶。

二、今年我国氧化镓行业进展不断

2月28日报道称，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。

2月27日，中国科学技术大学校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。

三、专家称氧化镓器件或将直接与碳化硅竞争

中国科学院院士郝跃在接受采访时明确指出，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一， 在未来的10年左
右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。

目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司占有全球90%以上的市场份额。据NCT预测，到2030年 氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元(约4.2亿美元) 。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。

四、相关上市公司:南大光电 、航天电子

南大光电公司三甲基镓产品可以作为生产氧化镓的原材料。

航天电子全资子公司时代民芯公司正在氧化镓领域开展技术研究和布局。$南大光电(sz300346)$$航天电子(sh600879)$