拓荆科技11月期间接待多家机构调研,根据
SEMI等数据统 计,2021年 全球薄膜沉积设备市场份额约210亿美元,ALD 设备占比约为11%,SA
CVD设备 占比小于6%。目前公司 SACVD和ALD产品已经实现推向市场,实现产业化,后续公司将进一步提升市场占有率。
公司PECVD产 品基本可以实现28nm及以上制程的各种类薄膜工艺的覆盖,包括通用介质薄膜、先进介质薄膜和硬掩膜等。受益于客户扩产及设备国产化持续推进,前三季度公司PECVD设备实现收入8.9亿 元,较去年同期增长175%。
ALD设备方面,公司PEAL D设备可以覆盖逻辑芯片55-14nmSADP、STI工艺及存储领 域,该产品已实现产业化应用; ThermalAL _D主要应用于28nm以下制程逻辑芯片,目前根据客户指标进行优化设计和验证测试。SACVD设备可以覆盖12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的逻辑芯片制造工艺需求。10月1日,公司发布股权激励草案,拟向高级管理人员、核心技术人员等不超过517人授予280万股限制性股票,同时向高级管理,人员3人授予40万份股票增值权,授予价格均为105元。此外,本次股权激励设置了较高的解锁条件:
2022-2025年收入较2021年增长不低于
100/ 200/300/ 400%,归母净利润较2021年增长目标分别 为270/ 490/ 700/900%,激励计划中利润端增速解锁条件较收入端更加严苛,彰显了公司对中长期盈利能力向好的信心。
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