第三代半导体碳化硅（SiC）概念股_OreoUp

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概念：第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，其中新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。相关公司如下： $士兰微(sh600460)$ 公司已着手在厦门士兰明镓公司建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线，预计在 2022 年三季度实现通线。 $三安光电(sh600703)$ 2020年半年报披露：公司在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，项目正处于建设阶段。 $闻泰科技(sh600745)$ 碳化硅技术研发进展顺利，碳化硅二极管产品已经出样。 $博敏电子(sh603936)$ 公司在战略上将SiC产业作为达成百亿收入目标的第二增长曲线。当前在Sic功率半导体产品系列中的芯片散热陶瓷衬底，已建立起明显领先于行业优势的技术与产能，并在功率半导体行业Top5的客户中，已形成了良好的品牌效应。 $苏州固锝(sz002079)$ 苏州固锝第三代半导体产品已实现小批量生产，主要为SIC产品。

公司在战略上将SiC产业作为达成百亿收入目标的第二增长曲线。当前在Sic功率半导体产品系列中的芯片散热陶瓷衬底，已建立起明显领先于行业优势的技术与产能，并在功率半导体行业Top5的客户中，已形成了良好的品牌效应。

天通股份公司碳化硅材料目前处于独立研发阶段，目前开发的碳化硅产品为6英寸导电衬底。国星光电公司有积极研究储备包括碳化硅技术在内的第三代半导体方面技术，目前已提交6项发明专利申请。楚江新材公司在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺技术处于国内领先水平。摘自互联网，以供参考，不构成投资建议

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