“不吃这一套！”赶脚解气。

新赛股份要饭煲？

老师请问下上面的图来自哪里，谢谢

气贯长虹

美邦大姐要10连扳？

志气爆表

缺心缺到啥时候？ 

目前，国际上主要的碳化硅功率器件产业化公司有美国Wolfspeed、德国Infineon、日本Rohm、欧洲的意法半导体(STMicroelectronics)、日本三菱(Mitsubishi)，这几家大公司约占国际市场的90 %，另外，美国通用电气(GE)、日本丰田(Toyota)、日本富士(Fuji)、日本东芝(Toshiba)、MicroSemi、USCi、GeneSiC等公司也开发了碳化硅功率器件产品。在SiC二极管产品方面，美国Wolfspeed(包括Cree)、德国Infineon公司已经推出了五代 SiC JBS产品;其中Wolfspeed的第四代及以前的产品为平面型，第五代为沟槽型，并且在第五代650 V器件中采用了晶圆减薄工艺将碳化硅晶圆由370 μm减薄至180 μm，进一步提高了器件的性能。Rohm公司开发了三代SiC二极管，最新产品也采用了沟槽型结构。Infineon公司的前四代SiC二极管以600 V、650 V产品为主，从第五代开始推出1200 V产品，即将推出第六代低开启电压的SiC JBS产品。在MOSFET器件方面，Wolfspeed公司推出600 V、1200 V和1700 V共三个电压等级、几十款平面栅MOSFET器件产品，电流从1 A~50 A不等;2017年3月，美国Wolfspeed公司发布了900 V/150 A的SiC MOSFET芯片，是目前单芯片电流容量最大的SiC MOSFET产品;Rohm公司的SiC MOSFET产品有平面栅和沟槽栅两类，电压等级有650 V和1200 V;意法半导体开发了650 V和1200 V两个电压等级的SiC MOSFET产品，Infineon公司也推出了沟槽栅的1200 V SiC MOSFET产品。另外，GeneSiC公司开发了1200 V和1700 V的 SiC BJT产品，Infineon和USCi公司开发了1200 V的SiC JFET产品。在研发领域，国际上已经开发了10 kV以上的JBS、MOSFET、JFET、GTO等器件样品，以及20 kV以上的PiN、GTO和IGBT器件样品，由于受到碳化硅材料缺陷水平、器件设计技术、芯片制造工艺、器件封装驱动技术以及市场需求的制约，以上高压器件短期内无法实现产业化。

“十二五”初期，我国掀起了研发第三代功率半导体器件领域的热潮;“十三五”期间，我国掀起了第三代功率半导体材料和器件产业化的浪潮。当前，我国的碳化硅功率器件产品以二极管产品为主，若干单位具备开发晶体管产品的能力，尚未实现产业化。在国家科技项目和各级政府的支持下，目前国内有多家企业建成或正在建设多条碳化硅芯片工艺线，这些工艺线的投产，将会提升国内碳化硅功率器件的产业化水平。

国内碳化硅产业主要公司：

山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。

天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产2-4英寸晶片。

河北同光：单晶衬底，4英寸及六英寸导电性、半绝缘碳化硅衬底；其中4英寸衬底已达世界先进水平。

瀚天天成：外延片，形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线。

天域半导体：外延片3英寸、4英寸以及6英寸的碳化硅外延晶片。

中电2/13/55所：器件/模块/IDM，量产高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片；实现4-6寸碳化硅外延片、芯片设计制造、模块封装的完整产业链。

中车时代：器件/模块/IDM，国内首家6英寸碳化硅生产线；实现碳化硅二极管和MOSFET工艺。

世纪金光：器件/模块/IDM，集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体，贯通了第三代半导体全产业链。

泰科天润：器件/模块/IDM，建成国内第一条完整的4～6寸碳化硅器件量产线，可在碳化硅外延上实现半导体功率器件的制造工艺。